電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。

電動壓縮機需要滿足不斷增加的需求，包括低成本、更小尺寸、更少振動和噪聲、更高功率級別和更高能效。這些需求離不開壓縮機驅(qū)動電路的設(shè)計和優(yōu)秀器件的選型。

電動壓縮機控制器功能包括：驅(qū)動電機（逆變電路：包括ASPM模塊或者分立器件搭載門極驅(qū)動，電壓/電流/溫度檢測及保護，電源轉(zhuǎn)換），與主機通訊（CAN或者LIN, 接收啟停和轉(zhuǎn)速信號，發(fā)送運行狀態(tài)和故障信號）等，安森美（onsemi）在每個電路中都有相應(yīng)的解決方案（圖1、圖2）。本文重點探討逆變電路ASPM模塊方案。

1 ASPM 汽車級智能功率模塊

汽車級智能功率模塊（AutomotiveSmart  Power Module，ASPM）是一種集成了功率半導體器件、驅(qū)動電路和控制電路的模塊化解決方案，旨在提供高效、可靠、緊湊的電力轉(zhuǎn)換和控制（圖3)。

2    ASPM汽車級智能功率模塊的優(yōu)勢

ASPM模塊功率芯片和IC芯片被直接焊接到銅質(zhì)的引腳框架上，接著用陶瓷覆蓋引腳框架，最后放到環(huán)氧樹脂中澆鑄成型（圖4)。相比分立方案來說大大減小了寄生電感，減少了整體設(shè)計的器件的數(shù)量和PCB板所需的面積，提供高絕緣耐壓并能維持良好散熱性能。

(1)成本

在成本上如果單獨比較ASPM模塊和分立器件的器件成本，模塊的成本會更高。但從整個系統(tǒng)成本來說，考慮到PCB、機械安裝、質(zhì)量和性能成本，系統(tǒng)功率越高，使用ASPM模塊會更有優(yōu)勢

(2)熱性能

在電動壓縮機的設(shè)計中，散熱特性是一個關(guān)鍵因素，它直接影響到模塊的電流承載能力。因此，封裝的散熱特性在決定其性能表現(xiàn)時至關(guān)重要。在散熱特性、封裝尺寸以及隔離特性之間存在著權(quán)衡關(guān)系。優(yōu)秀的封裝技術(shù)的關(guān)鍵在于，優(yōu)化封裝尺寸，同時保持卓越的散熱性能，而不犧牲隔離等級。

以650VASPM27系列為例，這些模塊采用了DBC（覆銅板）基板技術(shù)，帶來了良好的散熱性能。功率芯片直接貼裝在DBC基板上，使得熱量能夠更有效地從芯片傳導至外部，從而提高了散熱效率和可靠性，這對于維持功率模塊在大電流工作下的長期穩(wěn)定性和延長使用壽命至關(guān)重要。

因為溫度直接影響產(chǎn)品的性能、可靠性和壽命，所以大多數(shù)設(shè)計者都希望精確了解功率芯片的溫度。然而，由于封裝內(nèi)部的功率芯片（如IGBT、FRD）是在高壓條件下工作的，直接測量其溫度變得較為困難。過去，由于成本和技術(shù)原因，設(shè)計者往往不是直接測量功率芯片的溫度，而是采用外置的NTC熱敏電阻去檢測模塊或散熱器的溫度，這種方法雖然簡單，但并不能準確反映功率組件本身的溫度情況。而在1200VASPM34系列中，設(shè)計上的一大創(chuàng)新點就是將NTC熱敏電阻與功率芯片集成在同一陶瓷基板上，實現(xiàn)在模塊內(nèi)部進行溫度采樣。這樣一來，就能夠更加準確地反映出功率芯片的實際溫度狀況，讓開發(fā)人員清楚的知道模塊內(nèi)部溫度裕量，并在系統(tǒng)控制中做相應(yīng)的措施，比如在低轉(zhuǎn)速時，系統(tǒng)散熱不好導致模塊溫度過高，可以適當提高頻率，加強散熱；或者在高頻大功率時適當降低頻率或者做過溫停機保護。安森美的ASPM模塊的開關(guān)頻率設(shè)計高達20kHz以上（ASPM27-V3可達40kHz,FS4的IGBT開 關(guān)速度更快,開關(guān)損耗更低），可以輕松應(yīng)對現(xiàn)有電動壓縮機15000轉(zhuǎn)/分鐘以下的轉(zhuǎn)速采樣要求。

(3)功率密度

ASPM相比分立IGBT方案極大程度的降低了線路電感，無需考慮分立器件間的電氣安全距離；引腳與散熱面間高達2500V的絕緣，無需像IGBT那樣必須額外增加絕緣墊片，且安裝方便，可靠性高。

(4)可靠性

ASPM模塊集成了優(yōu)化的保護電路和與IGBT開關(guān)特征相匹配的驅(qū)動，可以為開發(fā)者極大的縮短電路匹配和開發(fā)時間。通過集成欠壓保護功能和短路保護功能，系統(tǒng)可靠性得到了很大程度的提高。內(nèi)置高速HVIC具備抵抗dv/dt

和負壓的能力，提供了一種無需光耦隔離的IGBT驅(qū)動能力（圖8)。集成的HVIC允許使用無需負電源的單電源驅(qū)動的拓撲。

要實現(xiàn)更高的可靠性，可以盡量減小不同材料間CTE的mismatch。安森美的ASPM模塊通過AEC-Q和AQG324認證，分立器件是按照AECQ100/101進行認證的。我們也可以考慮根據(jù)客戶特定的要求進行一些特殊的可靠性測試。

3趨勢和挑戰(zhàn)

為高壓環(huán)境下的電動壓縮機選擇功率器件時需要考慮到裕量的概念，以確保有足夠的安全余地應(yīng)對各種條件下的電壓波動和瞬態(tài)事件。

裕量通常是基于以下幾種考慮：

(1)穩(wěn)態(tài)電壓裕量：在正常工作狀態(tài)下，考慮到電壓波動、負載變化等因素，設(shè)計時通常會讓實際工作電壓低于功率器件標稱耐壓值，比如如果電池系統(tǒng)最高電壓為400V，則650V耐壓的器件提供了250V的電壓裕量；

(2)瞬態(tài)電壓裕量：在開關(guān)操作或電網(wǎng)異常等情況下，可能會出現(xiàn)瞬間的電壓尖峰，此時裕量用來保證在這些短暫但強烈的電壓沖擊下，器件不會被擊穿；

(3)可靠性裕量：長期運行過程中，功率器件的耐壓性能可能會因為溫度、老化等因素逐漸下降，因此提供足夠的電壓裕量有助于延長器件壽命，提升整個系統(tǒng)的可靠性。

650V耐壓的功率器件在應(yīng)用于峰值電壓接近其額定值的系統(tǒng)時，設(shè)計者需要仔細評估電壓裕量是否足夠，確保在所有預(yù)期的操作條件下，功率器件都能安全穩(wěn)定地工作。隨著電動汽車技術(shù)的發(fā)展，電池電壓平臺不斷上升，有些車企的400V平臺的峰值電壓達到了500V以上，當原有的650VASPM模塊在新的應(yīng)用場合下裕量不足時，就會推 動市場和技術(shù)向更高耐壓等級如750V的ASPM模塊發(fā)展。

在800V平臺，由于乘用車壓縮機尺寸比較小，選用1200V模塊時PCB設(shè)計難度相對較大，因為小型化的壓縮機內(nèi)部空間有限，設(shè)計高電壓等級的PCB布局時需要確保關(guān)鍵元器件之間有足夠的電氣安全距離，這對于高密度封裝的功率模塊來說是一項挑戰(zhàn)。模塊在高電壓下工作時產(chǎn)生的損耗更大，需要高效的散熱方案，而小型化設(shè)計可能限制了散熱面積和散熱路徑的設(shè)計，增加了熱管理設(shè)計的

復雜度。高電壓等級意味著更高的電磁干擾風險，需要更加細致的PCB走線設(shè)計和屏蔽措施，以符合相關(guān)電磁兼容標

準，還需確保在高電壓水平下，PCB的絕緣性能達標，防止爬電、擊穿等問題的發(fā)生。高電壓和大電流傳輸所需的線路寬度、間距以及層數(shù)都可能增加，同時也需要考慮降低寄生參數(shù)的影響，如電感和電阻，以優(yōu)化開關(guān)性能和減少損耗。針對這些挑戰(zhàn)和需求，安森美即將推出下一代更小尺寸的1200V模塊，內(nèi)部集成最新的FS7IGBT，解決上述挑戰(zhàn)，實現(xiàn)更優(yōu)化的性能，面積縮小了36%，并且還提高了絕緣耐壓特性，為電動壓縮機控制器的設(shè)計帶來更多提升。

4電路設(shè)計和PCB布局Tips

器件參數(shù)請參考650VASPM27汽車智能功率模塊系列應(yīng)用手冊：https://www.onsemi.cn/download/application-notes/pdf/and9800-d.pdf。

對于PCBlayout的設(shè)計建議如下：

(1)設(shè)計時建議功率地和數(shù)字地單點接地，接地線盡量短且不能太寬；

(2)采樣電阻距離Nu，Nv，Nw引腳應(yīng)該盡量的短，減少走線帶來的寄生電感；

(3)Csc保護RC的走線應(yīng)該盡量的短，且濾波電容的地最好接到控制地而非功率地；

(4)PN兩端的吸收電容放在距離模塊越近，對IGBT產(chǎn)生的Vce尖峰吸收效果越好；

(5)自舉電容和穩(wěn)壓管放置在距離模塊引腳最近的地方，每一路之間應(yīng)考慮電氣間隙和爬電距離要求；自舉

電容的充放電讓其本身成為一個干擾源，應(yīng)注意他與其他易被干擾的弱電電路之間的距離；

(6)模塊供電電容也應(yīng)盡量靠近模塊引腳；

(7)輸入控制信號Vin的RC都應(yīng)靠近模塊引腳，而非mcu，確保輸入到模塊內(nèi)部的信號是干凈的。

5結(jié)語

ASPM模塊是汽車電動壓縮機、水泵等電機控制中理想的控制器件；但隨著汽車電池往更高的電壓發(fā)展（比如電池最高電壓達到900V以上），且效率要求越來越高，使用IGBT作為功率器件的ASPM面臨一定的局限性。相同耐壓規(guī)格的SiC器件本身耐壓遠高于IGBT，且其開關(guān)損耗遠低于IGBT器件，可以適應(yīng)更高轉(zhuǎn)速，更高效率的要求。