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SOI高溫壓力傳感器研究進展及應用

發(fā)布時間:2009/3/19 14:41:00

文件類型:PDF

資料大小:242.41KB

提供者:中國傳動網(wǎng)

【SOI高溫壓力傳感器研究進展及應用】

資料介紹
常規(guī)擴散硅壓阻式壓力傳感器依靠PN結實現(xiàn)敏感電阻間的電學隔離,基于單晶硅良好的彈性形變性能和顯著的壓阻效應進行壓力測試,以其特有的體積小、靈敏度高、工藝成熟等優(yōu)點,成為應用最廣泛的壓力傳感器。不過,當工作溫度超過125℃時,電阻與襯底間的PN結漏電加劇,使傳感器特性嚴重惡化以至失效,不能準確測量壓力。因此,把能在高于125℃條件下工作的硅壓阻式壓力傳感器,稱為擴散硅高溫壓力傳感器。

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