技術(shù)頻道

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點(diǎn)薄膜,將其制備成場致發(fā)射的冷陰極.介紹了nc-Si量子點(diǎn)冷陰極的制備,場致發(fā)射特性的測試,解釋了nc-Si量子點(diǎn)冷陰極的工作模型及電子彈道發(fā)射的原理.透射電子顯微鏡（TEM）對樣片的結(jié)構(gòu)分析證實(shí)樣片中的nc-Si量子點(diǎn)具有很好的單晶結(jié)構(gòu)。