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低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

發(fā)布時(shí)間:2009/4/26 17:03:00

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【低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池】

資料介紹
以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶(SSP)上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉(zhuǎn)換效率為7.4%,開路電壓488mV,短路電流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶體硅薄膜電池暗特性表明:晶體硅薄膜電池具有較高的飽和暗電流I02和片并聯(lián)阻Rp.

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