未來(lái)推動(dòng)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)的最主要領(lǐng)域是變頻器、變頻家電、軌道交通產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能及風(fēng)能可再生能源、混合動(dòng)力車(chē)和純電動(dòng)車(chē)。出汽車(chē)外的市場(chǎng)都集中在中國(guó)。
目前國(guó)內(nèi)基本都是只能做到封裝IGBT管，完全自主生產(chǎn)我沒(méi)有看到，雖然南車(chē)說(shuō)自己有8英寸線，但未聽(tīng)說(shuō)正式投產(chǎn)。
IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年開(kāi)始正式生產(chǎn)并逐漸系列化的器件，是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS以及逆變焊機(jī)當(dāng)中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。
IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品，目前在中高電壓領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)16億美元。未來(lái)IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢(shì)，以滿足電視機(jī)、計(jì)算機(jī)適配器和照相機(jī)等消費(fèi)類(lèi)目標(biāo)應(yīng)用需求，從而搶占更多市場(chǎng)。與此同時(shí)，在上述應(yīng)用中的SJMOSFET可提供更快的開(kāi)關(guān)頻率和具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，2012年年底，SJMOSFET市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)5.67億美元。
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