2015年1月26日，武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC），今日宣布其第一個基于SST應用方案的55nm嵌入式閃存工藝驗證模塊上已經取得成功，其高壓和存儲單元電性測試結果與設計目標值完全吻合，16M存儲陣列良率符合預期。這是武漢新芯低功耗嵌入式閃存技術研發(fā)的一個重要里程碑。
武漢新芯于2014年正式開始與SST合作開發(fā)高可靠性的嵌入式閃存技術。在雙方工程師的共同努力下，僅用不到一年時間就完成了技術導入、工藝設計和器件研發(fā)制造。目前，器件的高壓（HV）和單元（Cell）電性參數(shù)完全符合預期，整體電路結構兼具高可靠性和低成本，能完全滿足智能卡和物聯(lián)網產品的需求。緊接著，武漢新芯將與合作伙伴試產智能卡產品，以驗證終端產品功能和性能，并以此進一步優(yōu)化工藝、提升良率，實現(xiàn)量產。
“在55nm嵌入式閃存工藝上取得的進展意味著武漢新芯正穩(wěn)步推進自己55nm低功耗物聯(lián)網平臺的建設。”武漢新芯市場部副總裁黃建冬博士說道，“我們將繼續(xù)拓展現(xiàn)有的制造能力，持續(xù)完善工藝平臺，為客戶帶來更多定制化的技術與代工服務。”
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