當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產廠商對存儲需求量巨大。

相關數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NANDFlash采購規(guī)模為66.7億美元，各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。然而，這些存儲芯片在國內仍舊空白，幾乎100%依賴進口。

在自主可控推升政策空間，存儲芯片大有可為路演活動上，銀河證券電子行業(yè)首席分析師王莉在接受記者采訪時表示，存儲芯片作為國家存儲信息安全關鍵抓手之一，一旦國產廠商能夠生產制造性能優(yōu)越的存儲芯片，政府將引導眾多廠商采購國產存儲存儲芯片，其國產替代空間巨大。

雖然前景可期，但當前我國存儲芯片仍面臨技術差距大、行業(yè)市場集中度高、周期性強、資金投入大四大特征，這也致使我國存儲芯片國產化任務艱巨，國內單一企業(yè)力量難以攻克。

王莉告訴記者，國際主流堆棧是32-48層，三星的技術可達64層，而我們與之相差甚遠。存儲芯片的制造工藝異常復雜，其中3DNAND閃存的制造更為困難，目前，全球各家存儲廠商對3DNAND的制造工藝都十分保密。當前國內NANDFLASH、DRAM制造技術基本處于缺失狀態(tài)。此外，知識產權是芯片行業(yè)競爭的利器。但目前，存儲芯片專利幾乎都被國際巨頭壟斷，無論是武漢新芯，還是福建晉華，其技術均是依托技術授權合作。

通常存儲行業(yè)市場集中度高，以DRAM市場為例，1970年代起步時候大約40-50家，1990年代末還有14家，到2004年只剩下5家實力較為突出，而如今全球僅3家就占據(jù)市場90%的份額，已經成了Samsung、SKHynix、Micron寡頭壟斷的競爭格局。

王莉表示，當存儲行業(yè)處于景氣高漲期，資金充裕時，一家存儲廠商進行產能擴充或者工藝升級，其它家存儲廠商如果不擴產其市場份額將被擠壓，產品也將會被對手新一代產品所替換。由此不斷形成了惡性擴產的現(xiàn)象，導致產能過剩，行業(yè)蕭條來臨。而當行業(yè)處于蕭條期時，各大廠商便開始壓縮產能，行業(yè)供需關系反轉，價格上升，景氣度開始上揚。由此可見，存儲芯片周期性強。

另外，根據(jù)調研機構SemiconductorIntelligence數(shù)據(jù)顯示，在2015年各半導體公司的資本支出預算中，Samsung資本支出預算151億美元，同比增長13%；SKHynix資本支出51億美元，同比增長12%；Micron資產支出38億美元，同比增長186%；其它存儲廠商資本支出20億美元，同比增長43%。2015年，存儲行業(yè)是整體半導體資本支出最高的領域，占比達到38%，資金投入量很大。

和CPU一樣，存儲器是芯片領域的戰(zhàn)略制高點，王莉認為，我國做存儲器產業(yè)一定要正面主戰(zhàn)場。首先需抓住核心技術，既要引進尖端人才，又要外延快速獲取。近年來，半導體存儲科技發(fā)展日益蓬勃，除了相關技術外，存儲器專利已然成為了競爭的利器。如今，在存儲器行業(yè)形成寡頭壟斷的競爭局面下，既有的專利將對新進入者構成重大門檻。

另外，她表示，存儲芯片設計技術相對簡單，產品形態(tài)標準化程度高，且易于擴大市場份額，存儲芯片廠商都是在掌握核心技術基礎上憑借規(guī)模取勝。Samsung、Micron、Sandisk等存儲大廠每年花幾十億美元甚至上百億美元的資本支出就是希望通過加大規(guī)模提高市場占有率。中國廠商要想在存儲產業(yè)取得突破，必須做好長期大規(guī)模投入、大規(guī)模虧損的心理準備。

其實，無論是抓技術，還是規(guī)模，都是一件耗時耗力的工程，都必須在國家戰(zhàn)略的支持下才能完成。

據(jù)記者了解，當前國內已有多方力量著手攻克存儲芯片。紫光集團600億元建設存儲芯片工廠，未來5年300億美元主攻存儲器芯片制造；武漢新芯：240億美元打造存儲器基地；福建晉華投資370億元，合肥聯(lián)手兆基科技投資460億元，建DRAM工廠。近期，市場傳紫光集團攜手武漢新芯，共同逐力存儲芯片，更加凸顯國家建設存儲芯片的意志。

王莉強調，存儲芯片國產化是一項艱巨的工程，要敢于啃硬骨頭，存儲芯片的四大特性決定了國產化工程離不開政府的強力支持。除了資金支持外，政府應當從人才到產業(yè)鏈配套等領域全面持續(xù)加大對存儲芯片產業(yè)的支持。