明年第一季將是高通、聯(lián)發(fā)科、海思等三大手機(jī)芯片廠(chǎng)的10nm芯片大戰(zhàn)開(kāi)打，雖然規(guī)格上仍是高通領(lǐng)先同業(yè)，不過(guò)能否真正放量出貨并搶下手機(jī)廠(chǎng)訂單，關(guān)鍵反而在于臺(tái)積電及三星等晶圓代工廠(chǎng)能否符合預(yù)期開(kāi)出產(chǎn)能。

手機(jī)芯片10nm大戰(zhàn)正式開(kāi)打！手機(jī)芯片龍頭高通搶在美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）前發(fā)表10nmSnapdragon835手機(jī)芯片，采用三星10nm制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺(tái)積電10nm代工的HelioX30也已進(jìn)入量產(chǎn)階段，明年上半年將再推出HelioX35搶市，至于華為旗下海思半導(dǎo)體Kirin970也將在明年采用臺(tái)積電10nm量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，明年第一季將是高通、聯(lián)發(fā)科、海思等三大手機(jī)芯片廠(chǎng)的10nm芯片大戰(zhàn)開(kāi)打，雖然規(guī)格上仍是高通領(lǐng)先同業(yè)，不過(guò)能否真正放量出貨并搶下手機(jī)廠(chǎng)訂單，關(guān)鍵反而在于臺(tái)積電及三星等晶圓代工廠(chǎng)能否符合預(yù)期開(kāi)出產(chǎn)能。

高通宣布子公司高通技術(shù)公司發(fā)表新一代Snapdragon835手機(jī)芯片，雖然大部份細(xì)節(jié)規(guī)格都還沒(méi)正式公布，但說(shuō)明將支援最新的QuickCharge4快充技術(shù)，進(jìn)行5分鐘充電后，將手機(jī)使用時(shí)間延長(zhǎng)至5小時(shí)以上，且QuickCharge4支援Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸（USB-PD），可廣泛的適用于各種連接線(xiàn)和轉(zhuǎn)接器之上。

聯(lián)發(fā)科早在10月初就說(shuō)明了新一代10nmHelioX30手機(jī)芯片部份細(xì)節(jié)。聯(lián)發(fā)科HelioX30手機(jī)芯片是10核心架構(gòu)，確認(rèn)將采用244的三叢集運(yùn)算架構(gòu)，包括運(yùn)算時(shí)脈高達(dá)2.8GHz二核心ARMCortex-A73、搭配運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.2GHz的四核心ARMCortex-A53、以及運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.0GHz的四核心ARMCortex-A35。與上一代十核心HelioX20手機(jī)芯片相較，運(yùn)算效能可提升43％，功耗上則可節(jié)省58％。

聯(lián)發(fā)科HelioX30已經(jīng)在第四季將率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段，采用臺(tái)積電10nm制投片，策略上就是希望藉由臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)來(lái)打造HelioX30，以對(duì)抗采用三星10nm生產(chǎn)的高通Snapdragon835。同時(shí)，聯(lián)發(fā)科新一代HelioX30手機(jī)芯片支援LTECat.10規(guī)格，并且是全球全模的手機(jī)芯片，預(yù)期明年第一季將可順利出貨，明年上半年還會(huì)再推出支援Cat.12的10nmHelioX35搶市。

華為旗下海思半導(dǎo)體已經(jīng)加快10nm微縮速度，業(yè)界預(yù)期，明年上半年將會(huì)推出首款采用臺(tái)積電10nm生產(chǎn)的Kirin970手機(jī)芯片，雖然架構(gòu)上可能仍是8核心，但在數(shù)據(jù)機(jī)上會(huì)率先支援Cat.12的全球全模規(guī)格。

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