國產(chǎn)存儲器芯片取得新進展,將倒逼三星降價

時間:2017-02-21

來源:網(wǎng)絡轉載

導語:我國3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展,32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求。

芯片對于一國來說顯得至關重要,這些年國家開始大舉發(fā)展國產(chǎn)芯片。過去芯片一直被韓國、美國等壟斷,在議價、出貨量方面顯得被動不堪?,F(xiàn)在我國開始發(fā)展芯片,希望能夠滿足本國市場70%的需求?,F(xiàn)在引來新的消息,我國3DNAND存儲器研發(fā)項目取得新進展,32層3DNAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求。

目前市場上許多固態(tài)硬盤(SSD)都已經(jīng)轉向3DNAND閃存。因為,不論是性能,還是容量,或者是使用壽命,3DNAND閃存都要比傳統(tǒng)2DNAND閃存好得多。而且,廠商也會借此來降低生產(chǎn)成本,以提高產(chǎn)量。事實上,在轉向3DNAND生產(chǎn)方面,實力最強的仍以韓國三星領先,東芝(Toshiba)/Sandisk與SK海力士其次,我國還是空白。

三星始作俑者導致存儲器漲價,三星霸主地位使得三星有能力主導價格提升,彌補Note7爆炸導致的巨額損失。由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,現(xiàn)在啟動的是第一期,主要目標是生產(chǎn)3DNAND閃存,2018年將啟動第二期建設,規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片,2019年啟動第三期建設,主要目標是代工服務,產(chǎn)能也會越來越大。過去中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個大問題,現(xiàn)在問題解決了已經(jīng)在布局了。

外媒報道稱,中國這樣的新一輪大規(guī)模國產(chǎn)化攻勢或將動搖以美國為首隨后是韓國、日本和臺灣地區(qū)主導的世界市場。在鋼鐵、船舶建造、太陽能面板之后,中國大陸這個亞洲巨頭又打算通過巨額投資的模式再一次擊暈對手。不過直到目前,三星和臺積電都處于業(yè)內(nèi)領先位置。這些企業(yè)是在上世紀80年代實施的發(fā)展戰(zhàn)略的成果?,F(xiàn)在3DNAND存儲器芯片研發(fā)系列工作得到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

大家都看得到,中國做存儲,做NAND存儲,是必然的。消息是振奮人心的,但道路可預見也是坎坷崎嶇的。中國做存儲是必然的,區(qū)別只是或早或晚,所有一切都是從零開始,今天不去做,明天碰到的困難還是那么多。期待中國企業(yè)可以在存儲行業(yè)占一席之地的未來。

記憶體業(yè)者自相殘殺,等到中國廠商進入市場,情況將急轉直下。報告稱,中國可能是足以顛覆市場的競爭者,他們財力雄厚,等到供給上線后,市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3DNAND技術大約落后領先廠商4~5年,他們打算狂燒資本加緊追趕,等到量產(chǎn)之后,市場供給過剩將更加惡化。外媒報告稱,中國可能是足以顛覆市場的競爭者,目前國產(chǎn)3D閃存還在奮力追趕競爭者。

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