新技術讓高速低耗"磁內存"指日可待

時間:2017-09-14

來源:網絡轉載

導語:在當前的"大數(shù)據"時代,信息磁存儲這種"古老"的技術仍然扮演著極其重要的角色,但存儲速度過低是其一大弊端。

在當前的"大數(shù)據"時代,信息磁存儲這種"古老"的技術仍然扮演著極其重要的角色,但存儲速度過低是其一大弊端。近來,瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學院的研究人員通過新技術,在極大提高磁存儲寫入速度的同時降低了功耗,讓計算機在不久的將來用上"磁內存"成為可能。

自從IBM于1956年推出第一個磁盤存儲器以來,在半個多世紀里,磁帶和磁盤一直被用于計算機數(shù)據存儲。不論技術如何升級,得益于壽命長和成本低優(yōu)勢,控制存儲介質的磁化至今仍是大量信息存儲的首選方案。

過去,人們大都通過帶電線圈產生的磁場來改變存儲介質的磁性,但這種"古老"的技術不僅在速度上跟不上現(xiàn)代計算機處理器,線圈的電阻還會導致高功耗。那是否可以不經過線圈而直接改變存儲介質的磁性,從而提高存儲速度并降低功耗呢?

早在2011年,蘇黎世聯(lián)邦理工學院材料系教授PietroGambardella領導的團隊就利用被稱為"自旋軌道轉矩"(spin-orbittorque)的物理現(xiàn)象,讓相反磁矩方向的電子聚集在通電導體的兩端,讓電子自旋產生磁場,從而改變鄰近磁性材料原子核的磁矩方向。

在最近研究中,研究人員將直徑500納米的鈷金屬點,暴露在聚焦的強X射線下,然后使電流脈沖通過鄰近鈷金屬點的白金導線,在不到1納秒的時間內,鈷金屬點就發(fā)生了磁性改變。此外,在兆級別次數(shù)的重復試驗之后,鈷金屬點磁性變化的質量沒有絲毫衰減。

研究人員據此預測,這一新技術特別適用于現(xiàn)代計算機的隨機存儲器,即內存。它與CPU直接交換數(shù)據,可隨時讀寫且速度很快,通常作為計算機操作系統(tǒng)或其他運行程序的臨時資料存儲媒介。

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