英特爾在北京舉辦“精尖制造日”活動，本次活動可謂云集了英特爾制程、制造方面最權(quán)威的專家團(tuán)，閉關(guān)修煉的英特爾終于秀出了它的10nm工藝。并笑稱：“老虎不發(fā)威，你當(dāng)我是病貓？”

這個讓英特爾憋了許久的一招“絕技”到底有多牛叉？我們先回顧一下此次活動，英特爾給外界透露了哪些消息。

首先英特爾的執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁StacySmith表示，摩爾定律不會失效，且英特爾正在沿著該定律勤勤懇懇的向前推進(jìn)著。不過，節(jié)點(diǎn)在進(jìn)化的途中面臨著時間越來越長的困境。這個難題怎么破解呢？

此時英特爾秀了一下“超微縮技術(shù)”，表示該技術(shù)讓英特爾能夠加速推進(jìn)密度的提升，借助節(jié)點(diǎn)內(nèi)優(yōu)化，產(chǎn)品功能每年都可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)。具體優(yōu)勢可以見下圖：

超微縮技術(shù)的使用，英特爾的14nm制程工藝更加優(yōu)秀。雖然同為14nm，英特爾的芯片密度更高，性能更強(qiáng)。其它的10nm制程工藝，僅相當(dāng)于英特爾14nm工藝制程的芯片密度。

StacySmith認(rèn)為英特爾在14nm制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性。

（這句話咋這么耳熟呢？畢竟我們不止一次聽到英特爾自夸自己的制程工藝比友商領(lǐng)先。這些友商又是誰呢？英特爾在活動上說：擁有領(lǐng)先邏輯晶圓廠的公司數(shù)量已經(jīng)越來越少，眾多公司已經(jīng)被淘汰出局。目前在14－16nm節(jié)點(diǎn)只剩4家（英特爾、三星、臺積電、格芯），且僅有2家（英特爾、三星）有一體化的器件生產(chǎn)能力。）

隨后，英特爾秀了一下業(yè)務(wù)實(shí)力，2016年全球晶圓代工收入為530億美元，其中高端技術(shù)（28／20／16／14nm）代工收入2016年達(dá)到230億美元。英特爾將致力22／14／10nm工藝節(jié)點(diǎn)的晶圓代工，發(fā)力高端市場。

最后，大戲登場——10nm晶圓。

英特爾高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)MarkBohr負(fù)責(zé)介紹了相關(guān)細(xì)節(jié)。

一開始就表示，英特爾是首家做到22nmFinFET的公司，比競爭友商至少領(lǐng)先三年。

MarkBohr說，14nm到10nm所花費(fèi)的時間超過兩年，但密度提升非?？捎^。晶體管密度每兩年提高約一倍，10nm每平方毫米晶體管數(shù)量超過1億個，而14nm每平方毫米晶體管數(shù)量只有不到4000萬個。

MarkBohr介紹了14nm超微縮相對于22nm超微縮的領(lǐng)先性，同時也介紹了10nm相對于14nm超微縮的技術(shù)差異。他說，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。10nm鰭片的高度較14nm提高25％，間距縮小25％，超強(qiáng)的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2．7倍。

最后的最后，我們顯然會看到與手機(jī)發(fā)布會一樣的友商對比圖。如下：

遲到英特爾為啥還這么自信？

雖說英特爾在會上表示自己是首家做到22nmFinFET的公司，且比友商技術(shù)至少領(lǐng)先三年。但好漢不提當(dāng)年勇，22nm之后的江湖卻又是另一場血雨腥風(fēng)。

2014年英特爾推出了14nm工藝，之后僅一年不到的時間，三星也推出了自家的14nm工藝，隨后臺積電也推出了其16nm工藝。2015年下半年發(fā)布的蘋果iPhone6s所搭載的A9處理器就分別采用了三星的14nm工藝和臺積電的16nm工藝。去年年底，三星和臺積電又相繼推出了自己的10nm工藝，這也比英特爾的10nm工藝早了將近一年的時間。

這就相當(dāng)尷尬了……

曾經(jīng)的江湖工藝排行第一把交椅的英特爾就這么涼了？顯然，它不會坐以待斃。

在大伙都在議論紛紛時，英特爾高級院士MarkBohr用半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEESpectrum》的撰文作出回應(yīng)。關(guān)于自家10nm工藝，他表示在技術(shù)、成本方面都有巨大優(yōu)勢，10nm工藝的晶體管密度不但會超過現(xiàn)在的自家14nm，還會優(yōu)于其他公司的10nm，也就是集成度更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元則縮小46％，這比以往任何一代工藝進(jìn)化都更激進(jìn)。

這段話背后的意思很明顯：友商在玩數(shù)字游戲！而我英特爾就是個“老實(shí)人”。

數(shù)字游戲

摩爾：集成電路所包含的晶體管每18個月就會翻一番。

摩爾應(yīng)該不會想到，自己的一句話成了一個定律且讓世界級廠商為追求更小的數(shù)字而瘋狂。

這個數(shù)字背后，指的是“線寬”，精確一點(diǎn)而言，就是金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）的閘極長度（GateLength）。

更具體的原理如下：

場效電晶體用閘極來控制電流的通過與否，以代表0或1的數(shù)碼訊號，也是整個結(jié)構(gòu)中最細(xì)微、復(fù)雜的關(guān)鍵，當(dāng)閘極可以縮小，電晶體體積也能跟著縮小，一來切換速度得以提升，每個芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積；再者，當(dāng)閘極長度愈小，閘極下方電子通道愈窄，之間的轉(zhuǎn)換效率提升、能量的耗損也能降低，收減少耗電量之效，但當(dāng)閘極太薄，源極與汲極距離愈靠近，電子也可能不小心偷溜過去產(chǎn)生漏電流，加以也有推動力不足的問題，這也是為何制程微縮難度愈來愈高；臺積、英特爾與三星群雄間爭的你死我活的原因。

不過我們把話題再拉到這場數(shù)字游戲中，英特爾說三星和臺積電灌水，那到底灌水沒灌水呢？

半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)還原工程與分析廠商ChipWorks、Techinsights與半導(dǎo)體分析廠商LinleyGroup都對臺積電、三星、英特爾16／14納米做過比較。

從LinleyGroup與Techinsights實(shí)際分析的結(jié)果，包含英特爾、臺積電與三星在14／16納米實(shí)際線寬其實(shí)都沒達(dá)到其所稱的制程數(shù)字，根據(jù)兩者的數(shù)據(jù)，臺積電16納米制程實(shí)際測量最小線寬是33納米，16納米FinFETPlus線寬則為30納米，三星第一代14納米是30納米，14納米FinFET是20納米，英特爾14納米制程在兩家機(jī)構(gòu)測量結(jié)果分別為20納米跟24納米。

英特爾：納尼？

調(diào)研TheLinleyGroup創(chuàng)辦人暨首席分析師LinleyGwennap，在2016年3月接受半導(dǎo)體專業(yè)期刊EETimes采訪時，也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數(shù)字秘密，Gwennap指出，傳統(tǒng)表示制程節(jié)點(diǎn)的測量標(biāo)準(zhǔn)是看閘極長度，但在行銷的努力下，節(jié)點(diǎn)名稱不再與實(shí)際閘極長度相符合，不過，差距也不會太大，Gwennap即言，三星的14納米約略等于英特爾的20納米。Gwennap認(rèn)為，臺積電與三星目前的制程節(jié)點(diǎn)仍落后于英特爾，以三星而言，14納米制程稱作17納米會較佳，而臺積電16制程其實(shí)差不多是19納米。

但美國知名財(cái)經(jīng)博客TheMotleyFool技術(shù)專欄作家AshrafEassa從電子顯微鏡圖來看，認(rèn)為英特爾、三星甚至臺積電在三者14／16納米制程差距或許不大。AshrafEassa對比英特爾14與22納米，以及三星14納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾14納米側(cè)壁的斜率要比22納米垂直，根據(jù)官方的說法，這能使英特爾的散熱鰭片（fin）更高更瘦，以提升效能。

而三星14納米制程電子顯微鏡圖相較起來，和英特爾14納米制程還比較相近，加以AshrafEassa用臺積電宣稱16納米FinFETPlus能比三星最佳的14納米技術(shù)在相同功率下，效能能比三星提升10％來推測，臺積電16納米FinFETPlus的晶體管結(jié)構(gòu)應(yīng)與三星相差不遠(yuǎn)，甚至鰭片（fin）會更加細(xì)長。

當(dāng)然，我們并不能說“線寬”就是技術(shù)實(shí)力，背后還要考慮很多因素。

不過專業(yè)人士認(rèn)為，英特爾的10nm的確要厲害一點(diǎn)。不然憋了這么久，豈不是白忙活了。然而，臺積電三星已經(jīng)靠10nm技術(shù)賺很多錢了，英特爾現(xiàn)在來“搶錢”還來得及不？