隨著全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機、人工智能以及物聯網等領域迎來高速發(fā)展契機。值此背景之下，其上游存儲器芯片產業(yè)再遇爆發(fā)期，作為生產、消費大國的中國，自然首當其沖，成為存儲器芯片大戰(zhàn)的主戰(zhàn)場。在中國存儲器芯片市場風云迭起的同時，“攪局者”的出現正緩緩改變著戰(zhàn)場的局勢……

美日韓的壟斷之勢

在全球半導體市場日益擴張的趨勢下，芯片市場供不應求之勢越發(fā)明顯，這其中又以存儲器市場為最。據統(tǒng)計，2016全球存儲器市場容量約800億美元左右，約占半導體市場的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產品。

以目前市場來看，存儲器主要分為DRAM和NANDFlash兩大類。其中2016年DARM市場容量約414億美元，NANDFlash約346億美元。在DRAM方面，全球DRAM價格持續(xù)七個季度高漲，是歷來漲勢最久的一次，據業(yè)界人士預測，此漲勢將持續(xù)至2018年第二季度。在NANDFlash方面，全球NANDFlash產線出現2D向3D轉移的現象，且3DNAND在SSD產品上的應用也日趨增多，至此閃存市場供應得到緩解。

而在供應短缺以及高增長的背后，壟斷之勢也越發(fā)明顯。據數據調查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業(yè)，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場。

以三星電子為例，據業(yè)界人士預估，在三星今年260億美元半導體資金中，3DNANDFlash約為140億美元，DRAM約為70億美元。面對如此“誘人”的存儲器市場，三星電子完全無法忍住誘惑。據消息透漏，三星電子計劃于2018年將DRAM價格上調5%左右，并且會加大3DNANDFlash技術研發(fā)的投入。而且，隨著智能手機、人工智能以及物聯網需求的增加，3DNANDFlash將得到長足發(fā)展。在這種趨勢下，中國也開始了布局。

紫光國際“攪局”破勢而出

事實上，在全球存儲器市場需求的不斷驅動下，中國存儲器市場的起色也很明顯。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢，中國芯片企業(yè)并未放棄對半導體的研究。而且隨著半導體制程技術的不斷衍進，存儲器芯片研發(fā)難度隨之加大，加之3DNAND技術的出現，都為國產存儲器廠商彎道超車提供了機會。

2016年，在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲器廠商開始量產32層3DNANDFlash的時候，國內存儲器廠商才開始布局，錯失良機的國內存儲器廠商急忙與政府合作，投資建立“國產存儲器基地”，建設3座全球單座潔凈面積最大的3DNANDFlashFAB廠房以供3DNANDFlash研發(fā)與生產。在這場全球3DNANDFlash市場之戰(zhàn)中，紫光國際首先“舉旗”，長江存儲、武漢新芯以及中國科學院微電子研究所緊隨其后，互相配合共同研發(fā)3DNANDFlash技術。

2017年11月中旬，長江存儲已經成功研發(fā)出32層3DNANDFlash芯片，預計將于2018年實現量產。目前，紫光國際與長江存儲已經在研究64層3DNANDFlash技術，預計將于2019年實現量產。

機遇與挑戰(zhàn)并存

當然，彎道超車依舊困難重重。從國內存儲器廠商的發(fā)展情況來看，主要面臨的機遇有以下四點：

其一，全球存儲器芯片價格持續(xù)走高、市場供不應求的趨勢；

其二，智能手機、人工智能以及物聯網等科技的不斷發(fā)展，導致存儲器芯片的需求也隨之增加；

其三，全球存儲器領先技術突破的趨勢減緩，各項技術的不斷成熟；

其四，國家政策的不斷出臺，政企聯合之勢擴大。

在機遇存在的同時，國內存儲器廠商所面臨的挑戰(zhàn)也不可謂不小，主要體現在以下三方面：

其一，國內存儲器技術人才匱乏，導致技術研發(fā)速度過慢；

其二，原材料價格的不斷上漲，導致投入過高；

其三，存儲器增長過快，產能過剩的風險隨時將至。

小結：

從國內存儲器市場的趨勢來看，紫光國際以及長江存儲已成為“攪局者”，于國內存儲器產業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國內存儲器市場的希望?？梢灶A料的是，隨著國內3DNANDFlash技術的不斷突破與成熟，加之DRAM產量的不斷提升，未來與五大存儲器巨頭的差距將越來越小。