2018年，對(duì)中國(guó)的集成電路而言，是不平靜、也是不平凡的一年。有中美貿(mào)易戰(zhàn)爆發(fā)的震驚和思考，也有AI和5G等推進(jìn)的振奮和憧憬；有芯片業(yè)的緊迫和焦灼，也有社會(huì)力量和資本的關(guān)注和熱捧！

摩爾定律正在逐漸放緩，想要遵循摩爾定律就需要投入越來越高的成本，這也使得愿意向12nm以下前進(jìn)的客戶越來越少。

從目前來看，采用12nm節(jié)點(diǎn)以下技術(shù)的主要客戶還集中在智能手機(jī)等少數(shù)領(lǐng)域，各大晶圓廠在先進(jìn)制程上的布局都有所變化。集微網(wǎng)將介紹2018年以來各大晶圓廠先進(jìn)制程的進(jìn)展，以及對(duì)于未來的展望。

臺(tái)積電：7nm占比穩(wěn)步提升，5nm將試產(chǎn)

在7nm技術(shù)路線的選擇上，全球最大芯片代工企業(yè)臺(tái)積電務(wù)實(shí)地在第一代放棄EUV（極紫外光刻），同時(shí)上馬整合扇出封裝技術(shù)提升可靠度，最終使得自己的進(jìn)度超越三星，從而贏下包括華為、AMD、蘋果等一眾關(guān)鍵客戶。

2018年4月，臺(tái)積電表示，該公司將開始生產(chǎn)7nm處理器。6月，根據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電著手將其7nm制程工藝擴(kuò)大到大規(guī)模生產(chǎn)，從而能夠滿足客戶對(duì)其需求。

臺(tái)積電第三季度財(cái)報(bào)顯示，7nm制程營(yíng)收已占晶圓銷售金額的11%。在7nm制程營(yíng)收上揚(yáng)的同時(shí)，臺(tái)積電的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)也在下半年成功流片，相較于第一代7nmDUV，第二代7nmEUV能將晶體管密度提升20％，同等頻率下功耗可降低6-12％。

臺(tái)積電總裁魏哲家表示，采用EUV設(shè)備的第二代7nm產(chǎn)品進(jìn)度依預(yù)期會(huì)在2019年量產(chǎn)，客戶大量采用預(yù)估則落在2020年。

另外，在臺(tái)積電積極發(fā)展的第2代采用EUV技術(shù)的7nm制程開始進(jìn)行投片同時(shí)，最新一代全程采用EUV技術(shù)的5nm制程將于2019年的四月進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

三星：7nm姍姍來遲，5nm提上日程

2018年10月，三星宣布7nmLPP（LowPowerPlus）制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，并在工藝中成功應(yīng)用極紫外光（EUV）微影技術(shù)。

三星電子的7nmLPP工藝相比上一代10nmFinFET的面積減少了40%，性能提升20%，耗電減少50%，消耗的掩膜也減少了20%。

目前，高通新一代的5G基帶會(huì)采用三星的7nmLPP工藝。12月，IBM也宣布POWER處理器和LinuxONE系統(tǒng)的處理器等，未來都將采用三星的7nmLPP工藝。

另一方面，2019年，三星計(jì)劃將風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)的5nm和4nm，同樣也會(huì)采用EUV技術(shù)。而首度導(dǎo)入閘極全環(huán)(GAA)晶體管的3nm工藝預(yù)計(jì)將在2020年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

英特爾：14nm產(chǎn)能不夠，10nm繼續(xù)推遲

英特爾自2014年進(jìn)入14nm制程時(shí)代，先進(jìn)制程推進(jìn)便原地踏步，原預(yù)定2016年中登場(chǎng)的10nm放量時(shí)程一再延遲。

一方面，進(jìn)入2018年，英特爾在處理器路線圖上遭遇了難題，核心問題在于10nm工藝難產(chǎn)，10nmCannonLake處理器預(yù)計(jì)于2019年第4季才會(huì)上市，英特爾不得不繼續(xù)使用14nm工藝再撐一年。

盡管英特爾曾表示自己的10nm在工藝上遠(yuǎn)超友商臺(tái)積電和三星的7nm，但實(shí)際拿出的基于CannonLake的Corei3-8121U連核顯都沒有，同頻性能和能耗比甚至不如目前的14nm。

另一方面，2018年9月，宏碁在內(nèi)的多家客戶共同表示，英特爾14nm的產(chǎn)品供貨不足，據(jù)報(bào)道，其產(chǎn)能缺口一度接近50%。英特爾甚至還將一部分基礎(chǔ)芯片交由臺(tái)積電代工，同時(shí)產(chǎn)能擴(kuò)增也在匆忙進(jìn)行。

除了2019年將面世的10nm，英特爾還暗示7nm產(chǎn)品可能比預(yù)期的更早，即在10nm制程的4年后上市。

英特爾指出，7nm開發(fā)是由一個(gè)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì)的獨(dú)立作業(yè)，更表示該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)從10nm經(jīng)驗(yàn)中汲取了大量經(jīng)驗(yàn)，并制造出更高的晶體管密度，功率和性能以及進(jìn)度可預(yù)測(cè)性，10nm處理器的遞延并沒有阻礙其7nm處理器的發(fā)展。

聯(lián)電：賺錢第一！停止12nm以下先進(jìn)制程研發(fā)

2018年8月，臺(tái)積電正在琢磨第二代7nm工藝，而同為臺(tái)灣晶圓代工廠的聯(lián)電在這時(shí)卻宣布將停止12nm以下先進(jìn)工藝的研發(fā)，在晶圓代工市場(chǎng)上不再拼技術(shù)，更看重投資回報(bào)率，賺錢第一。

2017年聯(lián)電的14nm成功量產(chǎn)，短短一年后就決定不再投資12nm以下的先進(jìn)制程，究竟是為什么呢？

據(jù)分析，過去的聯(lián)電由于過度的投資先進(jìn)制程，導(dǎo)致每次生產(chǎn)時(shí)產(chǎn)能利用率必須達(dá)到9成以上，才能盈利，而這樣的營(yíng)收方式顯然不能長(zhǎng)久，于是聯(lián)電轉(zhuǎn)變布局，選擇把“錢用在正確的地方”。

不過，根據(jù)聯(lián)電所述，他們未來還會(huì)投資研發(fā)14nm及改良版的12nm工藝，不過更先進(jìn)的7nm及未來的5nm等工藝不會(huì)再大規(guī)模投資了。

格芯：差異化才是出路，7nm不搞了

2018年年初，格芯放話將于年底開始量產(chǎn)7納米芯片，首位客戶為AMD。同時(shí)還表示準(zhǔn)備在生產(chǎn)線內(nèi)引進(jìn)用于先進(jìn)制程的EUV設(shè)備。

然而8月29日，格芯突然宣布將擱置7nmFinFET項(xiàng)目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案，轉(zhuǎn)攻ASIC市場(chǎng)，建立了獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。

格芯表示，微縮的速度正在逐漸放緩，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的吸引力正在減小，格芯將會(huì)相應(yīng)地優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12nmFinFET制程能夠被更多的客戶所使用，同時(shí)還提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能，更好的實(shí)現(xiàn)差異化。

中芯國(guó)際：28nmHKC持續(xù)上量，14nm呼之欲出

中芯國(guó)際的28nm在2017年的收入占比中超預(yù)期達(dá)標(biāo)，梁夢(mèng)松博士出任聯(lián)合CEO后，帶來了雄厚的技術(shù)水平和先進(jìn)的管理模式，加強(qiáng)了研發(fā)隊(duì)伍的建設(shè)，調(diào)整更新了14nmFinFET規(guī)劃，將3DFinFET工藝鎖定在高性能運(yùn)算、低功耗芯片應(yīng)用上。

2018年3月，中芯國(guó)際預(yù)計(jì)，14nm將比原計(jì)劃提前半年投產(chǎn)。5月份，中芯國(guó)際向ASML訂購(gòu)新型EUV光刻機(jī)，這臺(tái)機(jī)器價(jià)值1.2億美元，預(yù)期將于2019年年初交付。另外，中芯國(guó)際預(yù)計(jì)其14nm工藝也將在2019年上半年量產(chǎn)，不知這臺(tái)EUV屆時(shí)是否會(huì)投入14nm的生產(chǎn)當(dāng)中。

8月9日，中芯國(guó)際在第二季的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，14nmFinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展，第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。28nmHKC持續(xù)上量，同時(shí)28nmHKC+技術(shù)的開發(fā)工作也已完成。

華力微電子：28nm進(jìn)入量產(chǎn)，14nm只是時(shí)間問題

中芯國(guó)際之外，華虹集團(tuán)旗下的上海華力半導(dǎo)體也是國(guó)內(nèi)重要的晶圓代工廠。2018年10月18日，華力二期工程正式投產(chǎn)，該項(xiàng)目總投資387億元，12英寸月產(chǎn)能可達(dá)4萬片晶圓，工藝等級(jí)涵蓋28到14nm。

根據(jù)《解放日?qǐng)?bào)》的消息，該項(xiàng)目建成后，華虹集團(tuán)的集成電路制造能力將覆蓋0.5微米到14納米各工藝技術(shù)平臺(tái)，制造規(guī)模進(jìn)入全球前五位，工藝技術(shù)進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。

12月11日，上海華力與聯(lián)發(fā)科技共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，基于上海華力28nm低功耗工藝平臺(tái)的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。

華虹集團(tuán)董事長(zhǎng)張素心表示，公司目前28nm工藝產(chǎn)品良率達(dá)到93-98%，2020年將具備14nmFinFET產(chǎn)品生產(chǎn)能力。

隨著摩爾定律的放緩，制程的縮小越來越困難，只有像臺(tái)積電和三星這樣的老牌勁旅才有實(shí)力跟精力去繼續(xù)拓展。雖然市面上目前最新的只有7nm的制程，但是5nm、3nm量產(chǎn)已經(jīng)被提上了日程，更有科學(xué)家已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1nm級(jí)別的工藝，究竟半導(dǎo)體工藝的極限在哪里，而摩爾定律是否會(huì)被終結(jié)，這些只有留給時(shí)間去證明了！

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