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羅姆（ROHM）半導(dǎo)體集團(tuán)是全球最知名的半導(dǎo)體廠商之一。ROHM IGBT產(chǎn)品利用ROHM特有的溝槽柵、薄晶圓技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低VCE(sat）、低開關(guān)損耗等特性。目前有第二代和第三代產(chǎn)品，第三代IGBT整體損耗更低，效率更高，元器件溫度更低。涵蓋650V/1200V、4A-50A多個(gè)規(guī)格，主流封裝，有車規(guī)級(jí)（AEC-Q101）產(chǎn)品。大量應(yīng)用于車載壓縮機(jī)，電機(jī)市場，電源市場，空調(diào)冰箱等。

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主要產(chǎn)品及應(yīng)用

第三代650V耐壓IGBT：兼?zhèn)涞蛡鲗?dǎo)損耗和高速開關(guān)特性。

這些產(chǎn)品非常適用于UPS（不間斷電源）、焊接機(jī)及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH（感應(yīng)加熱）等消費(fèi)電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換。

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羅姆半導(dǎo)體穿通型IGBT技術(shù)演化

650V IGBT RGTV和RGW產(chǎn)品系列

· 用于快速開關(guān)的RGTV系列，其短路耐受時(shí)間（SCWT）為2 μs；

· 用于更快速開關(guān)的RGW系列，主要針對(duì)SCWT不做要求的應(yīng)用

RGTV和RGW產(chǎn)品系列特點(diǎn)：

1．實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能

在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術(shù)使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15％，另外采用ROHM獨(dú)創(chuàng)的單元微細(xì)化結(jié)構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通損耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速開關(guān)特性（tf=30～40ns）。

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2．實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，減輕設(shè)備的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)

通過元器件內(nèi)部優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關(guān)。由此，開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50％，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時(shí)，應(yīng)用端不再需要以往需要的過沖對(duì)策，有利于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

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完整產(chǎn)品系列如下表所示，羅姆IGBT型號(hào)的前部分為TC=100 °C時(shí)額定電流的兩倍。對(duì)于當(dāng)前所有類別中有兩種芯片配置方式，即IGBT芯片單獨(dú)封裝或與快速恢復(fù)二極管（FRD）共同封裝。在RGTV系列中，FRD與IGBT具有相同的額定電流。RGW系列中的FRD的額定電流比IGBT的低，其FRD的額定電流如表中的括號(hào)內(nèi)所示。這些器件的額定電流在TC=100 °C的情況下從30 A到80 A，并采用TO-247N（非隔離型）和TO-3PFM（隔離型）等封裝中，具體如下表所示：

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1200V耐壓IGBT：汽車級(jí)（AEC-Q101）、短路耐受時(shí)間為10μsec（Tj=25℃）

“RGS系列”產(chǎn)品

RGS系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗（Vce(sat.)），達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器電路和PTC加熱器的開關(guān)電路，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。

此外，1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受時(shí)間為10μsec（Tj=25℃），即使在要求高可靠性的車載領(lǐng)域也可放心使用。

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