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　　MOSFET是電路中最基本的元器件，其憑借著開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電壓低、電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在各個(gè)電子領(lǐng)域之中，其中不乏汽車(chē)電子領(lǐng)域方面。

　　眾所周知，汽車(chē)電子領(lǐng)域?qū)﹄娮赢a(chǎn)品和元件的把控都有著嚴(yán)格的要求，比如，電子產(chǎn)品的抗干擾能力要強(qiáng)，以防止汽車(chē)被干擾而導(dǎo)致系統(tǒng)故障;電子產(chǎn)品的體積要盡可能的小，以適應(yīng)汽車(chē)體積的限制;在正常運(yùn)行下自身不可以有過(guò)高的噪聲和電磁干擾，以防止干擾汽車(chē)上其他電子設(shè)備。

　　因此，東芝就以上需求推出了一款以小型貼片式TSON Advance(WF)封裝的MOSFET為主導(dǎo)的產(chǎn)品——XPN3R804NC，來(lái)解決車(chē)載電子領(lǐng)域中設(shè)備體積大，抗干擾能力差，效率低等問(wèn)題。

　　電氣特性分析

　　XPN3R804NC具有以下特點(diǎn)：

　　采用帶有可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)的小型貼片式TSON Advance(WF)的封裝，尺寸縮小至3.3mm×3.6mm(典型值);

　　低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)=3.8mΩ(最大值)@VGS=10V(XPN3R804NC);

　　低漏電流：IDSS=10μA(最大值)(VDS=40V);

　　增強(qiáng)型MOS：Vth=1.5V-2.5V(VDS=10V，ID=0.3mA);

　　符合AEC-Q101認(rèn)證。

　　具體參數(shù)如下：

　　(Ta=25℃)

　　結(jié)構(gòu)特性分析

　　XPN3R804NC采用的是東芝第8代U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)，是高速溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一，其主要應(yīng)用于AC-DC和DC-DC電源電路設(shè)計(jì)方案之中。

　　U-MOSⅧ-H采用最新的溝槽MOS工藝和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在導(dǎo)通電阻和電容(如輸入，反向傳輸和輸出電容)之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡關(guān)系。而且采用的U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)可以有助于提高電源效率，與之前的舊產(chǎn)品相比，除了降低設(shè)備功耗之外還可以降低輻射噪聲。十分適合應(yīng)用于汽車(chē)電子領(lǐng)域之中。

　　應(yīng)用場(chǎng)景

　　XPN3R804NC憑借其電源效率高、低功耗、小型貼片式TSON Advance(WF)封裝和抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，可以被應(yīng)用于車(chē)載設(shè)備、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等汽車(chē)電子領(lǐng)域方面的產(chǎn)品中。