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　　MOSFET是電路中最基本的元器件，其憑借著開關(guān)速度快、導通電壓低、電壓驅(qū)動簡單等特點，被廣泛應用在各個電子領域之中，其中不乏汽車電子領域方面。

　　眾所周知，汽車電子領域?qū)﹄娮赢a(chǎn)品和元件的把控都有著嚴格的要求，比如，電子產(chǎn)品的抗干擾能力要強，以防止汽車被干擾而導致系統(tǒng)故障;電子產(chǎn)品的體積要盡可能的小，以適應汽車體積的限制;在正常運行下自身不可以有過高的噪聲和電磁干擾，以防止干擾汽車上其他電子設備。

　　因此，東芝就以上需求推出了一款以小型貼片式TSON Advance(WF)封裝的MOSFET為主導的產(chǎn)品——XPN3R804NC，來解決車載電子領域中設備體積大，抗干擾能力差，效率低等問題。

　　電氣特性分析

　　XPN3R804NC具有以下特點：

　　采用帶有可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)的小型貼片式TSON Advance(WF)的封裝，尺寸縮小至3.3mm×3.6mm(典型值);

　　低導通電阻：RDS(ON)=3.8mΩ(最大值)@VGS=10V(XPN3R804NC);

　　低漏電流：IDSS=10μA(最大值)(VDS=40V);

　　增強型MOS：Vth=1.5V-2.5V(VDS=10V，ID=0.3mA);

　　符合AEC-Q101認證。

　　具體參數(shù)如下：

　　(Ta=25℃)

　　結(jié)構(gòu)特性分析

　　XPN3R804NC采用的是東芝第8代U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)，是高速溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一，其主要應用于AC-DC和DC-DC電源電路設計方案之中。

　　U-MOSⅧ-H采用最新的溝槽MOS工藝和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)設計，在導通電阻和電容(如輸入，反向傳輸和輸出電容)之間實現(xiàn)了出色的平衡關(guān)系。而且采用的U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)可以有助于提高電源效率，與之前的舊產(chǎn)品相比，除了降低設備功耗之外還可以降低輻射噪聲。十分適合應用于汽車電子領域之中。

　　應用場景

　　XPN3R804NC憑借其電源效率高、低功耗、小型貼片式TSON Advance(WF)封裝和抗干擾能力強等優(yōu)勢，可以被應用于車載設備、開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器等汽車電子領域方面的產(chǎn)品中。