近日，多個第三代半導體項目動態(tài)再刷新，芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批順利下線;南砂晶圓與中機新材展開合作;士蘭微總投資超百億，擬合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目...

　　芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批已順利下線

　　5月27日，據芯聯(lián)集成官微消息，其8英寸SiC工程批已于4月20日順利下線，這表明其8英寸SiC離量產越來越近。公開資料顯示，工程批是指芯片設計企業(yè)為了測試和驗證新產品，向晶圓代工廠提出小批量訂單，測試驗證新的設計和工藝，并進行后續(xù)的優(yōu)化和調整。

　　自2021年以來，芯聯(lián)集成持續(xù)投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術的研發(fā)和產能建設。其用于車載主驅逆變器的SiC MOSFET器件和模塊已于2023年實現(xiàn)量產。截至2023年12月，芯聯(lián)集成6英寸SiC MOSFET產線已實現(xiàn)月產出5000片以上。

　　在今年3月，芯聯(lián)集成在投資者調研活動中介紹，其8英寸SiC晶圓和芯片研發(fā)進展順利，計劃年內送樣。其工程批在上個月已下線，目前正在驗證過程中，至年底還有半年時間，芯聯(lián)集成有望按照此前披露的時間節(jié)點實現(xiàn)年內送樣目標，并在2025年進入規(guī)模量產。并且，芯聯(lián)集成近日透露，其8英寸SiC產線建設進展順利，今年二季度將完成通線。產線建設也將為芯聯(lián)集成8英寸SiC量產提供助力，伴隨著8英寸SiC量產，芯聯(lián)集成將成為8英寸SiC賽道又一個重量級玩家。

　　成功切入8英寸領域，將助推芯聯(lián)集成SiC相關業(yè)務增長，尤其是在車用場景。今年以來，芯聯(lián)集成與車企頻頻互動，彰顯了其SiC產品布局持續(xù)向車規(guī)級應用傾斜。今年1月30日，芯聯(lián)集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產品的生產供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議，芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產供應商。3月1日，芯聯(lián)集成又宣布與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

　　通過與蔚來、理想等車企合作，芯聯(lián)集成能夠與車廠圍繞終端需求共同推動產品化進程，進而共同提升市場競爭力。而伴隨著6英寸向8英寸轉型升級，其材料和器件成本有望進一步下探，有望加速芯聯(lián)集成與車企的合作進程并在產品終端應用方面進一步滲透。

　　南砂晶圓與SiC晶圓研磨拋光材料企業(yè)中機新材展開合作

　　5月23日，中機新材官微表示，其在5月15日與南砂晶圓簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。

　　中機新材官方消息顯示，其專注于針對硬脆材料及先進制造所需的高性能研磨拋光材料領域，在第三代半導體SiC晶圓研磨拋光應用領域已取得多項關鍵性技術突破，并持續(xù)滿足客戶的高質量和穩(wěn)定性的供應服務。

　　據悉，中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產過程中的環(huán)保和成本痛點。耗液量方面，團聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%。目前，中機新材團聚金剛石研磨材料已于2021年投入量產，在此基礎上，中機新材已成功進入比亞迪、天岳先進、同光股份、天域半導體、合盛硅業(yè)、晶盛機電等SiC產業(yè)鏈頭部企業(yè)。此次與南砂晶圓合作，中機新材客戶版圖再下一城。

　　官方資料顯示，南砂晶圓于2018年9月注冊成立，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產和銷售的企業(yè)。其官網顯示，公司總部設在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟南三大生產基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產線，公司產品以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底為主。

　　作為國內SiC襯底頭部廠商，南砂晶圓對SiC晶圓研磨拋光材料需求量大。特別是近幾年，南砂晶圓開啟了規(guī)模龐大的擴產計劃。其中，南砂晶圓在廣州南沙區(qū)布局的總投資9億元的SiC項目。據悉，該項目2023年4月已經試投產，達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。此外，南砂晶圓還在積極擴建廠區(qū)，其計劃將位于山東濟南的8英寸SiC單晶和襯底項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產基地，投資額達15億元，這是南砂晶圓另一大規(guī)模擴產項目。基于此，南砂晶圓未來在SiC晶圓方面需要的耗材需求更大。

　　總投資超百億，士蘭微擬合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目

　　5月21日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司增資41.50億元，簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協(xié)議》。

　　本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.60 億元增加至42.10億元。士蘭微對于士蘭集宏的持股比例將由原本的100%降至25.1781%。廈門新翼科技實業(yè)有限公司將成為士蘭集宏的控股股東，持股51.0689%，廈門半導體投資集團有限公司持股23.7530%。

　　公告顯示，結合各方在技術、市場、團隊、運營、資金、區(qū)位和區(qū)位政策以及營銷等方面的優(yōu)勢，各方合作在廈門市海滄區(qū)合資經營項目公司“廈門士蘭集宏半導體有限公司”，以項目公司負責作為項目主體建設一條以 SiC-MOSEFET 為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線，產能規(guī)模6萬片/月。

　　據悉，第一期項目總投資70億元，其中資本金42.1億元，占約60%;銀行貸款27.9億元，占約40%。第二期投資50億元，在第一期的基礎上實施(第二期項目資本結構暫定其中30億元為資本金投資，其余為銀行貸款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產能力，與第一期的3.5萬片/月的產能合計形成6萬片/月的產能。

　　合作各方擬將項目公司建成一家符合國家集成電路產業(yè)發(fā)展規(guī)劃、開展以第三代半導體功率器件研發(fā)、制造和銷售為主要業(yè)務的半導體公司，并具有國際化經營能力，以取得良好的經濟、社會效益;支撐帶動終端、系統(tǒng)、IC設計、裝備、材料產業(yè)鏈上下游企業(yè)在廈門集聚，為中國集成電路產業(yè)發(fā)展助力。

　　值得一提的是，在此前舉行的士蘭微2023年度暨2024年第一季度業(yè)績暨現(xiàn)金分紅說明會上，公司總經理鄭少波表示，目前公司碳化硅訂單處于客戶追交付狀態(tài)，預計碳化硅主驅模塊裝車5月單月將超過8000輛、6月 單月將超過2萬輛;4月份公司6英寸、8英寸基本滿產，5英寸、12英寸產能利用率80%左右。

　　尊陽電子第三代功率半導體集成電路封裝項目成功奠基，總投資近13億

　　5月27日，江蘇尊陽電子科技有限公司舉行了“第三代功率半導體集成電路封裝項目”的奠基儀式。

　　據介紹，尊陽電子二期項目“第三代功率半導體集成電路封裝項目”投資2.65億，搭建生產車間和基礎設施;平臺化企業(yè)投資9.98億，建設生產設備。項目預計在2027年12月全部達產，達產后實現(xiàn)年銷售收入約11億元，年稅收約7000萬元。

　　公開資料顯示，尊陽電子成立于2021年5月，主要為芯片設計公司提供高水平的封測平臺支持的企業(yè)。尊陽電子表示，該項目將采用先進的封裝技術，提高產品的性能和可靠性，滿足市場對高性能半導體產品的需求。

　　安建半導體功率半導體模塊封裝項目簽約落戶浙江

　　5月20日，據浙江海寧經開區(qū)消息，浙江海寧經濟開發(fā)區(qū)、海昌街道項目集中簽約儀式在海寧(中國)泛半導體產業(yè)園服務中心舉行，其中包括安建半導體功率半導體模塊封裝項目。消息披露，安建半導體功率半導體模塊封裝項目總投資1億元，或打造汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線。

　　今年4月，安建半導體完成了超過2億元的C1輪融資，本輪募集資金將主要用于開發(fā)及量產汽車級IGBT與SiC MOS產品平臺、擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線、擴充銷售及其他人才團隊、增加營運現(xiàn)金流儲備等。

　　官微資料顯示，安建半導體成立于2021年7月，至今已實現(xiàn)IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三條產品線量產，得到了國內多家應用客戶的認可。目前，安建半導體已推出具有完全自主產權的1200V-17mΩSiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產線和開發(fā)新一代GaN技術和產品。

　　芯長征封測產線正式通線，涉及第三代半導體芯片及模組系列

　　近日，芯長征科技官微宣布，其新能源電子封測產線于5月9日在中國榮成順利通線并隆重舉行通線儀式。

　　據介紹，該項目主要建設新能源汽車/光伏功率模組以及第三代半導體材料碳化硅的模組生產測試線，建成后，項目可年產新能源汽車及光伏功率模組約60萬只、年產功率器件檢測設備約500臺，實現(xiàn)產值3億元。

　　企查查顯示，芯長征成立于2017年，是一家集新型功率半導體器件設計研發(fā)與封裝制造為一體的企業(yè)，各類MOS、IGBT和SiC系列產品均已獲得客戶認可，實現(xiàn)批量出貨。今年2月，中金公司發(fā)布了《關于江蘇芯長征微電子集團股份有限公司首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告》，計劃年中進行輔導考試。

　　總投資55億，晶隆半導體外延材料產業(yè)園EPC項目封頂

　　據中電二公司公眾號消息，5月25日，滁州半導體外延材料產業(yè)園EPC項目封頂儀式順利舉行。

　　據了解，滁州半導體外延材料產業(yè)園項目為滁州市南譙區(qū)重點項目，由安徽晶隆半導體科技有限公司投資建設，項目總投資55億，2023年10月開工，占地面積250畝，建筑面積18萬平。

　　此前，據滁州市南譙區(qū)人民政府消息，該項目設計年產6-8英寸硅外延片540萬片、4英寸以下碳化硅外延片90萬片，將加快推動滁州半導體產業(yè)發(fā)展，助力安徽打造半導體產業(yè)發(fā)展新增長極。

　　安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目(生活服務設施區(qū))全面封頂

　　據湖南六建華西公司公眾號披露，近日，安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目(生活服務設施區(qū))已于5月18日全面封頂。

　　據悉，該項目由湖南三安(持股51%)和意法半導體(持股49%)合資建設，總投資約為230億元，全廠建成后，可年產車規(guī)SiC MOSFET芯片52萬片。作為重慶市政府招商引資的重點項目，安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目同時也是我國芯片行業(yè)第一個8英寸襯底項目。

　　另外，湖南項目方面，三安湖南碳化硅半導體產業(yè)化項目二期正在穩(wěn)步推進中，將全部導入國際領先的8英寸生產設備和工藝，計劃今年三季度投產。整個項目達產后將實現(xiàn)總計年產48萬片的規(guī)模。

　　年產120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產線9月底試生產

　　據涪陵發(fā)布公眾號消息，5月24日，在重慶涪陵高新區(qū)(綜保區(qū))電子信息標準化廠房A棟，重慶新陵微電子有限公司的廠房正在加緊裝修中。預計9月底，這里將建成國內領先的特色工藝晶圓產線，滿足國內對高端功率半導體芯片的迫切需求。

　　據悉，重慶新陵微電子有限公司是由寧波達新半導體有限公司與涪陵區(qū)新城區(qū)開發(fā)(集團)有限公司共同投資于2022年7月成立的一家從事功率半導體芯片制造的高科技企業(yè)，注冊資本2億元。該公司投資約20億元，建設一條年產120萬片6英寸功率半導體特色工藝晶圓產線，主要產品包括IGBT、MOSFET等功率半導體芯片，產品應用將覆蓋新能源汽車、智能電網、光伏儲能、風力發(fā)電、工業(yè)應用、白色家電等領域。

　　該公司廠務經理曾鵬程介紹，現(xiàn)在我們生產基地一期廠房已經完成無塵室車間、動力車間、特氣車間等地面隔墻、通風管路鋪設，正在進行管路安裝，完成了總工程量的50%。二期配套設施廠房正在進行招標前期工作。近期將進行一期廠房設備安裝施工，力爭9月底實現(xiàn)試生產。