德州儀器新工藝使每個硅片芯片產(chǎn)出量翻番

時間:2006-06-14

來源:中國傳動網(wǎng)

導(dǎo)語:

日前,德州儀器 (TI) 發(fā)布了45納米(nm)半導(dǎo)體制造工藝的細節(jié),該工藝采用濕法光刻技術(shù),可使每個硅片的芯片產(chǎn)出數(shù)量提高一倍,從而提高了工藝性能并降低了功耗。通過采用多種專有技術(shù),TI將集成數(shù)百萬晶體管的片上系統(tǒng)處理器的功能提升到新的水平,使性能提高30%,并同時降低40%的功耗。   TI 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Hans Stork 博士指出:“例如在手機處理器與 DSP系統(tǒng)方面,TI憑借在芯片制造領(lǐng)域的實力將推出45納米的低成本工藝技術(shù),并同時兼顧了性能、功耗及晶體管密度等方面的問題。這使客戶能盡早推出速度更快、體積更小、功耗更低的產(chǎn)品,TI不斷通過高良率晶圓推出數(shù)百萬芯片,在業(yè)界始終處于領(lǐng)先地位?!?   TI預(yù)計,45 納米工藝與 SoC 集成功能將使消費者體驗高達 30% 的設(shè)備速度提升,這意味著每秒更多視頻幀,從而實現(xiàn)更佳的移動電話用戶體驗。此外,無線用戶將可以享受到同時運行多個應(yīng)用的好處,如運行3D游戲的同時與游戲伙伴們進行視頻交流,還可以在后臺收發(fā)電子郵件。其它預(yù)測顯示,TI 45納米SoC將使功耗降低40%,從而獲得更長的視頻播放時間,并把手機待機時間延長高達 30%。
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