NEC山形將投產(chǎn)40納米半導(dǎo)體產(chǎn)品

時間:2007-12-08

來源:中國傳動網(wǎng)

導(dǎo)語:NEC電子今年年內(nèi)將對其全資子公司山形日本電氣股份公司(以下簡稱為NEC山形)投資100億日元生產(chǎn)使用40納米加工技術(shù)的系統(tǒng)LSI。

NEC電子今年年內(nèi)將對其全資子公司山形日本電氣股份公司(以下簡稱為NEC山形)投資100億日元生產(chǎn)使用40納米加工技術(shù)的系統(tǒng)LSI。NEC山形此次在現(xiàn)在的300毫米硅片生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上投入了可以生產(chǎn)55nm和40nm的最高端半導(dǎo)體產(chǎn)品用的浸沒式光刻機等設(shè)備。    40nm系統(tǒng)LSI是比45nm半導(dǎo)體更微細化的產(chǎn)品,也可以說是45nm的下一代產(chǎn)品。NEC山形目前的生產(chǎn)能力約為每月13,000片的300毫米硅片。導(dǎo)入此次的設(shè)備的之后,該工廠可生產(chǎn)5,000片的55nm品和40nm品,其中2,000片是40nm品。 40nm品預(yù)計將于2008年末開始投產(chǎn),所生產(chǎn)的產(chǎn)品預(yù)計有用于數(shù)字家電、移動設(shè)備以及游戲設(shè)備的系統(tǒng)LSI和混載存儲器的系統(tǒng)LSI產(chǎn)品。 NEC山形的55nm品采用了液浸曝光技術(shù)和High-k Gate絕緣膜等高端技術(shù)。該工藝也可運用在40nm產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中。因此NEC電子決定在NEC山形開始生產(chǎn)40nm產(chǎn)品。 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝朝著微細化發(fā)展,隨之可以實現(xiàn)低成本、高效處理以及低功耗等目的,因此半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商積極地向微細化方向發(fā)展。 NEC電子從2006年12月開始生產(chǎn)最高端的65nm產(chǎn)品之后,于2007年10月開始生產(chǎn)出65nm的第二代產(chǎn)品——55nm的樣品。NEC電子最高端的產(chǎn)品,因其特有的高可*性和低功耗性能從而博得了市場一致好評。 NEC山形自2005年1月開始300毫米硅片生產(chǎn)至今,已累計投資了1,400億日元,從原先的130nm產(chǎn)品到現(xiàn)在的90nm以及55nm產(chǎn)品等,都是面向數(shù)字家電市場的產(chǎn)品。 今后,NEC電子還將向NEC山形陸續(xù)投入生產(chǎn)40nm產(chǎn)品所需要的設(shè)備,予以確保40nm產(chǎn)品可以早日量產(chǎn)。
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