產(chǎn)品頻道

編者按：英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布推出三個(gè)全新的功率半導(dǎo)體系列，進(jìn)一步豐富廣博的OptiMOSTM 3 N溝道MOSFET產(chǎn)品組合。 OptiMOS3 40V、60V 和 80V系列可在導(dǎo)通電阻等重要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)方面提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能， 使其能夠在采用標(biāo)準(zhǔn)TO（晶體管外形）封裝的條件下，降低30%的功耗。OptiMOS3 40V、60V 和80V系列具備較低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻，與其他競(jìng)爭(zhēng)性解決方案相比，可增加高達(dá)30%的功率密度，使相關(guān)應(yīng)用的組件數(shù)降低25%以上。 這些全新的MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用，包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備以及電動(dòng)五金|工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類(lèi)設(shè)備采用的SMPS（開(kāi)關(guān)模式電源|穩(wěn)壓器）、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 全新OptiMOS 3系列可提供出類(lèi)拔萃的RDS（on）（導(dǎo)通電阻），OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8TM 封裝具備最低1.6 mΩ的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 60V采用D-PAK封裝具備最低3.5 mΩ的導(dǎo)通電阻，OptiMOS 3 80V采用D2 –PAK封裝具備最低2.5 mΩ的導(dǎo)通電阻。這些器件的FOM（優(yōu)值，通過(guò)導(dǎo)通電阻乘以柵極電荷得出） 與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比高出25%，能夠快速實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，同時(shí)最大程度降低傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功耗，提高功率密度。此外，它還能降低驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的熱量，因此可提高系統(tǒng)的可靠性。另外，較低的導(dǎo)通電阻允許采用3 mm x 3 mm S3O8（Shrink SuperSO8）等小型封裝，因此在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)只需較小的空間，提高了功率密度。 英飛凌電源管理與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf表示：“作為全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)袖，英飛凌憑借豐富的OptiMOS MOSFET系列產(chǎn)品，使低壓功率轉(zhuǎn)換與管理應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了最佳的性能和效率。我們利用在功率半導(dǎo)體制造和封裝方面的領(lǐng)先技術(shù)，不斷改進(jìn)器件性能，同時(shí)逐步降低外形尺寸，增大功率密度，提供出色的性價(jià)比。全新的OptiMOS3系列具有一流的效率和開(kāi)關(guān)特性，有助于電源和電機(jī)設(shè)計(jì)者滿足日益嚴(yán)格的節(jié)能要求，同時(shí)保證提供用戶所需的卓越性能?！?