產品頻道

編者按：安森美半導體以超低電容技術擴充ESD保護產品系列，以安森美半導體專有的集成ESD保護平臺設計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。 商安森美半導體（ON Semiconductor）擴充高性能片外靜電放電（ESD）保護產品系列，推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產品以安森美半導體專有的集成ESD保護平臺設計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。 ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護每條線路0.5皮法（pF）電容的兩條高速數(shù)據(jù)線路。將安森美半導體的低電容技術集成至3引腳封裝為設計人員提供以單個器件保護USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極，保護0.25 pF電容的一條雙向線路，非常適用于保護高頻射頻（RF）天線線路。 NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護每條線路0.7 pF的4條高速數(shù)據(jù)線路和2條Vcc電源線路。使設計人員能夠采用單個集成器件保護兩個USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。 這兩款新器件的主要特點，都來自安森美半導體傲視同儕的專有技術。ESD7L5.0D和NUP4212能夠將15千伏（kV）的輸入ESD波形在數(shù)納秒（ns）內鉗位至低于7伏（V），確保當今的對ESD敏感的集成電路（IC）具有最高水平的保護。諸如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其它低電容片外ESD保護技術也提供低電容，但它們的ESD鉗位電壓遠高于安森美半導體的解決方案。此外，安森美半導體這些硅器件沒有無源技術的磨損問題，在經受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會受到影響。 安森美半導體標準產品部全球市場營銷副總裁麥滿權說：“安森美半導體推出針對高速數(shù)據(jù)應用的超低電容產品，持續(xù)擴大我們在高性能ESD保護解決方案的領先地位。下一代便攜應用需要在越來越高的數(shù)據(jù)率下具有更高的性能和更大的設計靈活性。安森美半導體不斷配合這個趨勢，推出完整的低電容ESD保護解決方案系列?！? 采用這個技術平臺的首款產品ESD9L5.0S以技術、應用和設計創(chuàng)新方面的巨大進步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產品”獎。