恩智浦半導體NXPSemiconductorsN.V.(NASDAQ:NXPI)今日宣布推出采用DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道TrenchMOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑料封裝占位面積僅有2x2mm，高度僅為0.65mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。

　　作為業(yè)界首款集成低VCE(sat)BISS晶體管和TrenchMOSFET的二合一型產(chǎn)品，PBSM5240PF不但能節(jié)省PCB板空間，而且具有卓越的電氣性能。

　　傳統(tǒng)的小信號晶體管(BISS)/MOSFET解決方案通常需要采用兩個封裝，相比之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板占用面積，使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6(SOT1118)封裝還集成了一個散熱器，令散熱性能提高了25%，從而可支持高至2A的電流，并因此降低了能耗。

　　PBSM5240PF可用作便攜式電池充電電路的一部分，適用于手機、MP3播放器以及其他便攜式設備。它也可被用于那些要求最佳散熱性能、較高電流支持和占用面積小的負載開關或電池驅(qū)動設備中。

　　積極評價

　　恩智浦產(chǎn)品經(jīng)理JoachimStange表示：“對于便攜式設備領域來說，BISS/MOSFET解決方案的獨特之處和魅力所在就是其極小的占位面積、出色的電氣性能、散熱性能以及無鉛封裝。這款集成式的封裝產(chǎn)品最高可支持40V的電壓，非常適合當今日益纖薄化的小型移動設備使用。而對于這類設備，高度和電路板空間是關鍵的設計考慮因素，每一毫米都至關重要�！�

　　技術參數(shù)

　　PBSM5240PF小信號晶體管（BISS）和N溝道TrenchMOSFET的主要特性包括：

　　集電極大電流能力（IC和ICM）

　　集電極大電流下?lián)碛懈唠娏髟鲆?hFE)

　　產(chǎn)生熱量小，能效高

　　極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCEsat）

　　封裝占位僅為2x2mm，可減少印刷電路板尺寸

　　上市時間

　　恩智浦PBSM5240PF突破性小信號(BISS)晶體管和N通道TrenchMOSFET即將通過全球主要經(jīng)銷商供貨。

　　鏈接

　　恩智浦PBSM5240PFBISS/MOSFET解決方案的介紹

　　PBSM5240PF數(shù)據(jù)手冊

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　　關于恩智浦半導體

　　恩智浦半導體NXPSemiconductorsN.V.(Nasdaq:NXPI)以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（HighPerformanceMixedSignal）和標準產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業(yè)務執(zhí)行機構，2010年公司營業(yè)額達到44億美元。更多恩智浦相關信息，請登錄公司官方網(wǎng)站www.nxp.com查詢。