本文在簡(jiǎn)介EMI濾波器正朝小型化、片式化方向發(fā)展的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)論述了新材料、新技術(shù)在EMI濾波器上的應(yīng)用及小型化片式磁性元器件。

電子設(shè)備的小型輕量化的發(fā)展促使EMI濾波器也不斷朝小型化、片式化方向發(fā)展，多層片式EMI器件就是近年來(lái)隨著高密度表面組裝技術(shù)（SMT）的發(fā)展而發(fā)展起來(lái)的一種新型表面貼裝元件（SMD），由于其小型化的潛力很大，成為近年來(lái)研究和開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)。這些EMI元器件包括片式磁珠型EMI/RFI抑制器、片式電感器、片式組合式（LC型等）濾波器、片式扼流圈等。在尺寸上，美國(guó)已制定出相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，如1008(1.0mm×0.8mm)，0805，0603，2012等型號(hào)。由于這類EMI器件對(duì)采用的鐵氧體材料有特殊的要求，不僅要求其燒結(jié)溫度低、電阻率高、而且要不與內(nèi)導(dǎo)體發(fā)生反應(yīng)，因此，近年來(lái)投入大量的精力和財(cái)力研究降低該系列材料的燒結(jié)溫度以及改進(jìn)其電磁性能，取得了不少有價(jià)值的成果。

隨著片式EMI器件尺寸的進(jìn)一步縮小，如何在小尺寸濾波器上獲得大的電感量或阻抗值將是今后需重點(diǎn)研究的內(nèi)容。另外，為適應(yīng)IC電路小型化精密PCB電路抑制EMI的需求，對(duì)薄膜型組合式濾波器的研究也逐漸增多。美國(guó)泰克公司、日本東北大學(xué)先后開(kāi)發(fā)出薄膜π型和薄膜LCEMI濾波器，使用頻段在1～1000MHz之間，最大插入損耗達(dá)到25dB。由于這種EMI器件完全采用薄膜工藝來(lái)完成，有望實(shí)現(xiàn)更高的集成度。

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