MP5507E 采用 MPS 取得的能量存儲和釋放管理技術專利，可最大程度地減少所需的存儲部件、系統(tǒng)解決方案尺寸和成本。

　　MP5507E 電源管理芯片在正常條件下將輸入電壓升到更高的存儲電壓，并在輸入中斷的情況下，將能量釋放到系統(tǒng)中。

　　具有 DVDT 控制功能的內部輸入限流模塊可防止系統(tǒng)上電期間的浪涌電流，并在備份期間提供反向電流阻斷功能。

　　系統(tǒng)電壓上電變化斜率可進行編程。存儲電壓和釋放電壓均可針對不同的系統(tǒng)應用進行編程。MP5507E 電源管理芯片最大限度地減少了現(xiàn)有標準外部元器件的使用，采用 QFN-16(2.5mmx3.2mm)封裝。

　　MP5507E為典型的固態(tài)驅動器應用提供了一種非常緊湊且高效的電源備份解決方案。 MPS獲得專利的無損能量存儲和釋放管理電路使用雙向降壓/升壓轉換器來實現(xiàn)最佳的能量傳輸并提供經濟高效的能量存儲解決方案。

　　系統(tǒng)上電時，MP5507E電源管理芯片的內置升壓轉換器將大容量存儲電容器充電至編程電壓。 如果發(fā)生輸入電源中斷，MP5507E指示VB總線電源故障，斷開輸入開關，并通過內置的降壓轉換器將能量從存儲電容器傳輸?shù)絍B，并在系統(tǒng)運行時將總線電壓保持在穩(wěn)定電壓消耗能量進行數(shù)據備份。 降壓轉換器可以100%占空比工作，以完全耗盡存儲的能量。根據不同的電源備用時間和來自不同應用的存儲組件，MP5507E可以提供具有可編程存儲電壓設置的緊湊型解決方案。

　　VIN啟動時，VB總線電壓從0充電至VIN。 VB的上升斜率由DVDT電容控制。此功能可防止輸入浪涌電流并為下游系統(tǒng)提供保護。

　　EHCH用于啟用和禁用存儲充電和釋放電路。 存儲充電電路有兩種模式：預充電模式(使用電流源將STRG電壓從0V充電至VB電壓)和升壓模式(充電STRG電壓以設置電壓)。 預充電模式使用接近恒定的電流源(約130mA)將STRG電壓充電至VB電壓。 當STRG電壓接近VB，并且VB電壓高于某個閾值(PGB升高)時，啟動升壓模式。

　　如果在VIN升至UVLO閾值之前ENCH已經很高，則當VIN高于UVLO閾值(通常為2.5V)時，存儲充電電路會自動開始線性充電，當存儲電壓充電至接近VB時，切換到升壓切換模式，并且PGB升高。 如果在VB之后ENCH升高，則DVDT過去并且PGB升高，則開始預充電，然后進行升壓切換。

　　因為釋放模式是在FBB電壓低于0.79V時觸發(fā)的(盡管升壓模式和釋放模式之間有23mV的遲滯)，所以VB電壓可能會拉回低電平并意外進入釋放模式。為避免這種情況，如果系統(tǒng)I / O可用于控制ENCH，則在VB穩(wěn)定后啟用ENCH。

　　存儲電壓充電后，內部升壓轉換器會自動將其調節(jié)到穩(wěn)定電壓。 MP5507E電源管理芯片使用突發(fā)模式以最小化轉換器的功率損耗。 當存儲電壓降至設定電壓以下時，將啟動突發(fā)模式并為存儲電容器充電。在突發(fā)期間，電流限制和低側MOSFET(LS-FET)控制開關。 當LS-FET導通時，電感器電流會增加，直到達到限流點(約500mA)為止。達到電流限制后，LS-FET將在設置的最小關閉時間內關閉。在此最小關斷時間結束時，如果反饋電壓保持低于0.79V內部基準電壓，則LS-FET將再次導通。否則，MP5507E會等到電壓下降到閾值以下，然后再打開LS-FET。在升壓模式下，HS-FET關閉，并且HS-FET的體二極管傳導電流。