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研究人員開發(fā)超晶格材料存儲(chǔ)器 用于柔性電子可穿戴設(shè)備

時(shí)間:2021-09-13 15:43:41來源:

導(dǎo)語:?導(dǎo)讀:重要的是,特別是對(duì)于實(shí)驗(yàn)性的神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng),PCM可以存儲(chǔ)中間水平的電阻。

  要想讓粘貼式顯示器、智能繃帶和廉價(jià)的柔性塑料傳感器真正起飛,它們將需要某種可以建立在塑料上長(zhǎng)期存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方法。在柔性電子的生態(tài)系統(tǒng)中,擁有存儲(chǔ)器選項(xiàng)是非常重要的。

  但是今天的非易失性存儲(chǔ)器版本,如閃存,并不是很適合。因此,研究人員決定嘗試將一種相變存儲(chǔ)器適應(yīng)于塑料時(shí),他們得到了一種更好工作的存儲(chǔ)器,因?yàn)樗墙⒃谒芰仙系摹V刂么鎯?chǔ)器所需的能量比以前的柔性版本低一個(gè)數(shù)量級(jí)。他們本周在《科學(xué)》雜志上報(bào)告了他們的發(fā)現(xiàn)。

  相變存儲(chǔ)器(PCM)對(duì)塑料電子產(chǎn)品來說不是一個(gè)明顯的勝利。它以電阻狀態(tài)存儲(chǔ)其位。在其結(jié)晶階段,它的電阻很低。但在設(shè)備中運(yùn)行足夠的電流會(huì)融化晶體,使其在非晶相中凍結(jié),從而具有更高的電阻。這個(gè)過程是可逆的。重要的是,特別是對(duì)于實(shí)驗(yàn)性的神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng),PCM可以存儲(chǔ)中間水平的電阻。因此,一個(gè)單一的設(shè)備可以存儲(chǔ)多于一個(gè)比特的數(shù)據(jù)。

  不幸的是,通常涉及的一組材料在像塑料這樣的柔性基材上不能很好地工作。研究人員決定嘗試一種叫做超晶格的材料,即由不同材料納米層組成的晶體。在研究這些超晶格時(shí),研究人員得出結(jié)論,它們應(yīng)該是非常熱絕緣的,因?yàn)樵谄浣Y(jié)晶形式下,層與層之間存在原子級(jí)的間隙。這些"類似范德瓦爾斯的空隙"既限制了電流的流動(dòng),也限制了熱量。因此,當(dāng)電流被迫通過時(shí),熱量不會(huì)迅速?gòu)某Ц裰辛髯?,這意味著從一個(gè)階段切換到另一個(gè)階段需要更少的能量。

  研究人員進(jìn)行了100多次嘗試,以產(chǎn)生具有正確范德瓦爾斯間隙的超晶格。一張黑白的顯微照片,標(biāo)記為5nm的超晶格結(jié)構(gòu)由碲化銻和碲化鍺的交替層形成。層與層之間形成類似范德瓦爾斯的空隙,限制了電流和熱量的流動(dòng)。

  研究人員通過將電流限制在一個(gè)600納米寬的孔狀結(jié)構(gòu)中來保持記憶裝置中的熱量,該結(jié)構(gòu)被絕緣的氧化鋁所包圍。最后一層絕緣層是塑料本身,它對(duì)熱流的抵抗力比通常建立在硅上的PCM要好得多。完成的裝置的電流密度約為每平方厘米0.1兆安培,比傳統(tǒng)的硅上PCM低兩個(gè)數(shù)量級(jí),比以前的柔性裝置好一個(gè)數(shù)量級(jí)。此外,它顯示了四種穩(wěn)定的電阻狀態(tài)。所以它可以在一個(gè)設(shè)備中存儲(chǔ)多個(gè)比特的數(shù)據(jù)。


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