倒裝芯片工藝是指通過(guò)在芯片的I/0 焊盤上直接沉積，或者通過(guò) RDL 布線后沉積凸塊(包括錫鉛球、無(wú)鉛錫球、銅桂凸點(diǎn)及金凸點(diǎn)等)，然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，將芯片的 I/0 扇出成所需求的封裝過(guò)程。倒裝芯片封裝產(chǎn)品示意圖如圖所示。

　　倒裝芯片技術(shù)于 20 世紀(jì) 60年代由 IBM 率先研發(fā)出來(lái)，20 世紀(jì)90 年代后期形成規(guī)模化量產(chǎn)，主要應(yīng)用于高端領(lǐng)域產(chǎn)品(如 CPU、GPU 等)。隨著銅柱凸點(diǎn)技術(shù)的出現(xiàn)，結(jié)合消費(fèi)類智能電子產(chǎn)品 (如手機(jī)、可穿戴產(chǎn)品等)的快速發(fā)展及產(chǎn)品性能的需求，越來(lái)越多的產(chǎn)品從傳統(tǒng)的引線鍵合封裝轉(zhuǎn)向了倒裝芯片封裝。

　　與傳統(tǒng)的引線鍵合工藝相比，倒裝芯片封裝工藝具有如下優(yōu)點(diǎn)。

　　(1)VO 密度高。

　　(2) 由于采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，互連長(zhǎng)度大大縮短，互連線電阻、電感更小，封裝的電性能得到極大的改善

　　(3) 芯片中產(chǎn)生的熱量可通過(guò)焊料凸點(diǎn)直接傳輸?shù)椒庋b襯底上，因此芯片溫度會(huì)降低。

　　倒裝芯片包括許多不同的工藝方法。目前，業(yè)界倒裝芯片的凸點(diǎn)技術(shù)主要有金凸點(diǎn)、錫凸點(diǎn)及銅柱凸點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的焊接工藝主要為超聲波熱壓焊、回流焊及熱壓焊。由于技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的不同，底部填充工藝主要分為毛細(xì)底部填充、塑封底部填充、非導(dǎo)電型膠水(NCP)或膠膜 (NCF)底部填充。圖所示為凸點(diǎn)示意圖。

　　隨著圓片 CMOS 工藝不斷向 16nm、10nm、7nm 等高密度方向發(fā)展，對(duì)芯片V0的密度和性能要求越來(lái)越高，這都需要產(chǎn)品采用倒裝工藝來(lái)滿足芯片的需求。倒裝芯片對(duì)高密度微凸點(diǎn)技術(shù)、小節(jié)距倒裝芯片鍵合技術(shù)及底部填充技術(shù)等方面的封裝工藝及可靠性的要求也越來(lái)越高。每種工藝方法都有不同之處，且應(yīng)用范圍也有所不同。例如，就電路板或基板類型的選擇而言，無(wú)論它是有機(jī)材料、陶瓷材料還是柔性材料，都決定著組裝材料(包括凸點(diǎn)類型、焊劑底部填充材料等)的選擇，而且在一定程度上還決定著所需設(shè)備的選擇。因此，未來(lái)倒裝芯片的封裝需要結(jié)合產(chǎn)品應(yīng)用、芯片設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝設(shè)備及封裝工藝來(lái)共同選擇工藝組合，以找到最優(yōu)的封裝方案。

　　如今，倒裝芯片技術(shù)已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子領(lǐng)域，未來(lái)在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、大數(shù)據(jù)等方面的應(yīng)用也會(huì)更廣泛，倒裝芯片封裝被認(rèn)為是推進(jìn)低成本高密度便攜式電子設(shè)備制造所必需的一項(xiàng)工藝。