摘 要:本文簡要介紹了單片旋轉(zhuǎn)腐蝕/清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)及控制技術(shù),著重從控制及軟件編制方面闡述。經(jīng)用戶使用證明:該系統(tǒng)運行可靠,工藝靈活,人機(jī)界面友好。適用4″~ 8″晶圓片的單片旋轉(zhuǎn)腐蝕、清洗、顯影等工藝。
1.引言
隨著圓片大直徑和器件尺寸進(jìn)一步縮小,傳統(tǒng)的槽式批處理清洗技術(shù)在諸多工藝因素的驅(qū)動下已難以適應(yīng)濕法清洗,制備工藝過程中需要引入新型的清洗工藝,以確保IC規(guī)格、性能指標(biāo)及可靠性不因污染影響而下降。這就對新一代清洗設(shè)備提出了無損傷和抑制腐蝕損傷清洗的要求。 圓片大直徑和器件尺寸進(jìn)一步縮小使得晶圓的成本持續(xù)攀升,工藝過程中成品率及產(chǎn)品周期的縮短均加快了IC制備工藝對單圓片濕法清洗技術(shù)的應(yīng)用,使得該技術(shù)逐漸成為主流趨勢。
2.設(shè)備結(jié)構(gòu)及組成
該設(shè)備主要用于芯片制造工藝過程中晶圓片單片腐蝕清洗工藝。整機(jī)采用模塊化的結(jié)構(gòu)設(shè)計,主要由機(jī)架、清洗腐蝕腔、折臂式機(jī)械手自動送片收片機(jī)構(gòu)、清洗工作臺晶圓片定位機(jī)構(gòu)、清洗噴頭擺動機(jī)構(gòu)、腐蝕液和DI水在線加熱系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、管路系統(tǒng)及排風(fēng)系統(tǒng)等組成。
3、主要工作原理
開機(jī)后,將裝有硅片的片盒架放到上片位置,并輸出有片盒信號,一切準(zhǔn)備就緒后,啟動自動運行程序,折臂式機(jī)械手進(jìn)行復(fù)合智能運動,從上片位置機(jī)械手爪吸附上硅片,傳輸?shù)焦杵ㄎ粰C(jī)構(gòu),硅片中心定位后,機(jī)械手取出,傳輸?shù)礁g清洗腔旋轉(zhuǎn)卡盤,機(jī)械手退出,進(jìn)行自動腐蝕清洗工藝。
4、控制系統(tǒng)組成
控制采用集中管理、分散控制,并具有工藝參數(shù)管理、設(shè)備運行狀態(tài)動態(tài)監(jiān)控、故障診斷等功能。控制系統(tǒng)硬件主要由研華工業(yè)PC控制機(jī)、機(jī)械手控制模塊、清洗腔控制模塊、安全檢測模塊、腐蝕液及DI水在線加熱系統(tǒng)、直流電機(jī)控制器、傳感器等經(jīng)過專用通訊模塊組成。設(shè)備具有自動和手動運行功能,自動運行根據(jù)用戶編制的工藝程序設(shè)備自動完成硅片的傳輸、酸液腐蝕及DI水沖洗,各個動作實現(xiàn)互鎖,確保設(shè)備的安全及人身安全。手動功能完成所有的單步動作,以便用戶維修及特殊需要。整機(jī)的電控系統(tǒng)安裝在機(jī)體的前部,操作部分、控制開關(guān)、溫控器急停等安裝在設(shè)備的前面板。
5.控制系統(tǒng)軟件
5.1 軟件系統(tǒng)組成:
本控制軟件由上位機(jī)控制模塊及下位機(jī)各控制模塊組成。下位機(jī)各控制模塊根據(jù)自身的硬件結(jié)構(gòu),有相應(yīng)的驅(qū)動控制模塊及驅(qū)動程序,上位機(jī)軟件由VC++ 編制,負(fù)責(zé)整個設(shè)備各功能單元的協(xié)調(diào)運行,與各下位模塊數(shù)據(jù)通訊采用RS232通訊方式,主要由以下功能模塊組成。
?。?)運行模塊:運行模塊包括對設(shè)備上電后的初始化,檢查設(shè)備自動運行的初始化條件。運行模塊確認(rèn)當(dāng)前運行工藝程序并自動執(zhí)行一個工藝程序。本模塊還有監(jiān)控功能,并采用二維圖形動態(tài)顯示各個工位的狀態(tài),以及當(dāng)前工藝步驟的相關(guān)參數(shù)和進(jìn)度,見下圖

(2)工藝設(shè)置模塊:工藝設(shè)置模塊用來輸入工藝數(shù)據(jù)及查看以輸入的工藝程序及各工藝參數(shù),包括對輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行合理性檢查、刪除、修改、存儲等功能。工藝程序包括清洗的工步順序以及每個工步的清晰時間、電機(jī)的轉(zhuǎn)速。由于控制器采用工業(yè)控制計算機(jī),工藝程序的數(shù)量以及每個工藝程序的工步數(shù)量不再受到限制,可以隨意添加。
?。?)調(diào)試模塊:調(diào)試模塊實現(xiàn)對設(shè)備獨立單元的操作,包括對所有I/O口狀態(tài)的讀取;對任意一個電磁閥的開關(guān);對電機(jī)的各種啟停和轉(zhuǎn)動測試;對循環(huán)制冷加熱器的各種操作以及溫度采樣、圖形顯示;對機(jī)械手各種動作的測試,如晶片掃描、取片、放片等。
?。?)報警記錄模塊:報警記錄模塊記錄設(shè)備在運行過程中發(fā)生的各種警報,幫助操作工程師分析設(shè)備的故障。
(5)系統(tǒng)設(shè)置模塊:系統(tǒng)設(shè)置模塊包括各個級別操作用戶的密碼管理,以及一些系統(tǒng)參數(shù)的設(shè)置,如主軸電機(jī)的啟動加速度等。
5.2 軟件結(jié)構(gòu)
5.2.1
?。?)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu):本系統(tǒng)在軟件設(shè)計過程中,定義了工藝步驟結(jié)構(gòu)體、警報結(jié)構(gòu)體、采樣溫度結(jié)構(gòu)體。工藝結(jié)構(gòu)體定義為
typedef struct _ProcessStepData
?。?
CHAR m_strName[30];
int m_nRotateSp;
int m_nTime;
int m_nFunction;
}PROCESSSTEPDATA_ST;
其中包括工步名稱、工步功能、工步的工藝時間、電機(jī)的轉(zhuǎn)速。
警報結(jié)構(gòu)體定義為
typedef struct _WarningData
{
int m_nName;
int m_nDescription;
char m_strTime[21];
char m_strTimeClr[21];
int m_nLevel;
bool m_bOccur;
?。齏ARNINGDATA_ST;
其中包括警報發(fā)生的時間、警報消除的時間、警報的級別和警報的說明。
采樣溫度結(jié)構(gòu)體定義為
typedef struct _TemperatureData
{
float m_fTemp;
char m_strTime[20];
?。齌EMPERATUREDATA_ST;
其中包括采樣的溫度值和采樣時間。
同時給每個結(jié)構(gòu)體定義了動態(tài)數(shù)組,其數(shù)組的容量可以根據(jù)需要任意增加。
工藝結(jié)構(gòu)體動態(tài)數(shù)組定義如下:
CArray m_arrProc;
添加工藝步驟,執(zhí)行如下操作:
PROCESSSTEPDATA_ST stProc;
對stProc各成員變量賦值,m_arrProc.Add(stProc);
修改工藝步驟,執(zhí)行如下操作:
對stProc各成員變量賦值,m_arrProc.SetAt(nIndex, stProc);
插入工藝步驟,執(zhí)行如下操作:
對stProc各成員變量賦值,m_arrProc.InsertAt(nIndex, stProc);
刪除工藝步驟,執(zhí)行如下操作:
對stProc各成員變量賦值,m_arrProc.RemoveAt(nIndex);
警報結(jié)構(gòu)體動態(tài)數(shù)組定義如下:
CArray m_arrWarning;
溫度結(jié)構(gòu)體動態(tài)數(shù)組定義如下:
CArraym_arrTemp;
對報警記錄和溫度采樣記錄的操作與工藝步驟的操作類似。
5.2.2 軟件流程:本流程圖主要描述設(shè)備的操作流程。首先對設(shè)備進(jìn)行初始化操作,當(dāng)設(shè)備狀態(tài)正常,則啟動自動腐蝕清洗流程。首先機(jī)械手對送片盒進(jìn)行掃描確定送片盒存在晶片的位置,然后取片,并放到定位機(jī)構(gòu)進(jìn)行晶片位置較準(zhǔn),接下來機(jī)械手將校準(zhǔn)完的晶片置于腐蝕清洗腔中??刂葡到y(tǒng)根據(jù)預(yù)先設(shè)定好的工藝文件對晶片進(jìn)行腐蝕、清洗、甩干。工藝處理結(jié)束后,機(jī)械手從腐蝕清洗腔中取片,然后放到收片盒中,單個晶片的工藝流程執(zhí)行結(jié)束,機(jī)械手開始執(zhí)行下一個晶片的工藝流程。

6.結(jié)束語
本系統(tǒng)自2007年在北京宇翔電子有限責(zé)任公司投入運行以來,由于工藝的靈活性,可適合多種規(guī)格及工藝要求的晶圓腐蝕清洗,實時性強(qiáng),運行可靠,特別適用批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。
作者簡介:曹秀芳,1965年12,女,高級工程師,主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研究開發(fā),主要方向為晶圓片的濕法腐蝕清洗、旋轉(zhuǎn)清洗甩干等工藝設(shè)備研制,應(yīng)用領(lǐng)域為IC生產(chǎn)線、硅材料生產(chǎn)線、砷化鎵器件生產(chǎn)線、太陽能電池生產(chǎn)線、分離器件生產(chǎn)線等。