摘 要：提出了使用CMOS工藝的集成霍爾器件的一個(gè)新的電阻仿真模型?？捎糜谠O(shè)計(jì)集成霍爾傳感器的整體設(shè)計(jì)，將磁信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。使用Verilog-A HDL語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)，并且用Spectre電路仿真器執(zhí)行，可實(shí)現(xiàn)寬溫度范圍應(yīng)用。行為方程和行為參數(shù)建立在霍爾器件的基本理論和半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)上并且經(jīng)過(guò)電路仿真驗(yàn)證。為了提供對(duì)集成霍爾傳感器的仿真方便性，使用了必要的Verilog-A HDL實(shí)現(xiàn)的磁場(chǎng)模型和霍爾模型。 關(guān)鍵詞：霍爾傳感器;電阻模型;Verilog-A HDL;行為級(jí)仿真 Abstract：A new simulation model for Hall devices in CMOS silicon technology is proposed. Transient effects caused by wide operational range in temperature were taken into account in Verilog-A HDL and implemented in Spectre Circuit Simulator. Behavioral equations and parameters are based on fundamental theory of Hall devices and semiconductor physics and verified experimentally. In order to provide the convenience of simulation about integrated Hall sensors, magnetic field model and Hall model are build in Verilog-A HDL. Key words : Hall sensors; resistance model ; Verilog-A HDL; behavioral simulation 一、引言 　　集成傳感器的精確性日益提高的需要以及電子電路設(shè)計(jì)中的新技術(shù)更新和霍爾器件作為傳感器越來(lái)越重要[4]，導(dǎo)致對(duì)于使用硅工藝的這些傳感器精確仿真模型的需求。由于高度集成的霍爾傳感器具有小尺寸，高精確度和低價(jià)位的特點(diǎn)，他們?cè)诤艽髴?yīng)用范圍內(nèi)具有越來(lái)越廣泛的吸引力。為了保持這種吸引力，并且滿足未來(lái)所有的客戶在功能上、性能上和穩(wěn)定性上的需求，CMOS硅工藝是霍爾傳感器大批量生產(chǎn)的首選。 二、霍爾元件的電阻模型 　　一個(gè)集成霍爾傳感器單元的形狀類似于一個(gè)擴(kuò)散電阻，只不過(guò)為了測(cè)量霍爾電壓，它比普通的擴(kuò)散電阻多兩個(gè)直角的接觸孔。集成霍爾傳感器單元的工藝實(shí)現(xiàn)具有各種各樣的俯視圖，其中有圓形、正方形、長(zhǎng)方形和十字架形狀等。 詳情請(qǐng)點(diǎn)擊：集成霍爾器件的一個(gè)仿真模型及其應(yīng)用