Vishay器件榮獲《中國電子商情》的編輯選擇獎

時間:2013-03-21

來源:VISHAY 威世電子

導語:2013 年 3 月21 日Vishay宣布,該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎的“中國最具競爭力功率器件產品獎”和“中國最具競爭力電容器產品獎”。

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器MKP1848S分別榮獲《中國電子商情》(CEM)雜志2012年度編輯選擇獎的“中國最具競爭力功率器件產品獎”和“中國最具競爭力電容器產品獎”。

《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎的獲獎產品是根據在中國市場的銷售業(yè)績和技術創(chuàng)新選出的。Vishay的Si7655DN和MKP1848S因其在功率器件和電容器類產品中優(yōu)異表現而獲獎。

Vishay Siliconix Si7655DN是業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只有4.8m?。這款MOSFET的導通電阻比最接近的20V器件低17%或更多,使設計者能夠在其電路中實現更低的壓降,在便攜式電子產品中更有效地使用能量,讓電池的使用壽命更長。Si7655DN也是首款采用新版本PowerPAK®封裝的器件,高度比通常的0.75mm還要低28%。

對于DC-link應用,Vishay Roederstein MKP1848S采用薄型設計,具有2µF~100µF的業(yè)內最寬CV范圍,電壓等級為500VDC、700VDC和1000VDC。薄型MKP1848S為設計者提供了很多針對特定應用的選項,具有12mm、15mm、18mm和24mm四種高度。在標稱直流電壓和+70℃下,MKP1848S的壽命超過10萬小時,適用于逆變器、電源、太陽能微逆變器、板上充電器(EV/HEV)、水泵和LED驅動器。

《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎的獲獎產品公布在雜志的2013年1月刊上。

所有《中國電子商情》2012年度編輯選擇獎獲獎產品的信息發(fā)布在網址http://www.chinaem.com.cn/bencandy.php?fid=34&aid=6867。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

PowerPAK®Siliconix公司的注冊商標。

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