目前，在IGBT晶圓、封裝技術(shù)及低電壓應(yīng)用領(lǐng)域迭有突破之下，今年市場(chǎng)可望逐漸恢復(fù)成長(zhǎng)力道。受半導(dǎo)體器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的影響，已驗(yàn)收02專(zhuān)項(xiàng)安排的集成電路設(shè)備，2013年產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快。預(yù)計(jì)IGBT市場(chǎng)在2013年可望有些復(fù)蘇，2014年將小幅放緩，2015年成長(zhǎng)則將趨于穩(wěn)定。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
目前，在IGBT晶圓、封裝技術(shù)及低電壓應(yīng)用領(lǐng)域迭有突破之下，今年市場(chǎng)可望逐漸恢復(fù)成長(zhǎng)力道。在2011年，包括風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)、再生能源市場(chǎng)成長(zhǎng)放緩，影響IGBT需求，而且相關(guān)元件和模組均有庫(kù)存，交貨期又長(zhǎng)，因而也連帶沖擊2012年的IGBT市場(chǎng)。不過(guò)，這一波市場(chǎng)不景氣應(yīng)不致擴(kuò)大影響到2013年IGBT的市場(chǎng)規(guī)模，因目前全球經(jīng)濟(jì)情況已較為樂(lè)觀(guān)。
據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計(jì)，2011年IGBT分離式元件及模組總銷(xiāo)售額為35億美元，但未來(lái)幾年產(chǎn)值成長(zhǎng)可能有波動(dòng)，將呈現(xiàn)鋸齒狀的變化。如果全球景氣回升并持穩(wěn)的話(huà)，2013年可望有些復(fù)蘇，2014年將小幅放緩，2015年成長(zhǎng)則將趨于穩(wěn)定。
與此同時(shí)，受半導(dǎo)體器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的影響，已驗(yàn)收02專(zhuān)項(xiàng)安排的集成電路設(shè)備，2013年產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快，項(xiàng)目完成的成果也將迅速推廣到LED和IGBT等新興的分立器件市場(chǎng)，這將成為2013年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。日前，在IGBT新品的研發(fā)上，國(guó)內(nèi)業(yè)已取得突破。全球電流等級(jí)最高的1700V/3600AIGBT模塊產(chǎn)品在山西下線(xiàn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)大電流領(lǐng)域的空白。
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號(hào)