北京晶川電子公司專業(yè)代理電力電子元器件十多年，授權(quán)代理的產(chǎn)品有：德國(guó)英飛凌（Infineon）IGBT，功率MOSFET快恢復(fù)二極管等分離器件；德國(guó)Infineon IGBT模塊以及圓盤式和模塊化晶閘管，二極管；德國(guó)愛普科斯（EPCOS）螺栓型和牛角式電解電容、IGBT吸收電容、電力電容；瑞士Concept IGBT驅(qū)動(dòng)板。Infineon、EPCOS均源于原西門子電子零件。從2002年以來(lái)，我公司一直是中國(guó)最大的IGBT模塊（Infineon商標(biāo)）供應(yīng)商。在上海、深圳、成都、青島、西安、武漢設(shè)有辦事處。

自英飛凌IGBT 進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，其以高效的性能、可靠的品質(zhì)、多樣的解決方案，贏得到眾多客戶的青睞， 為工程師的創(chuàng)造力錦上添花！借此, 英飛凌科技公司謹(jǐn)定于2013 年8 月--10 月分別在北京, 深圳, 成都, 西安, 上海以及南京6 大城市舉行召開英飛凌IGBT 全國(guó)巡回研討會(huì)， 屆時(shí)我們的專家團(tuán)隊(duì)將與您面對(duì)面交流, 為您詳細(xì)介紹英飛凌功率器件新技術(shù)及IGBT 新產(chǎn)品, 幫助您輕松實(shí)現(xiàn)創(chuàng)造性設(shè)計(jì)應(yīng)用!此外, 現(xiàn)場(chǎng)還有產(chǎn)品展示, 專題小組討論環(huán)節(jié). 凡參會(huì)嘉賓, 會(huì)獲得精美的禮品一份。

我們真誠(chéng)地期待您的參與!

會(huì)議議題：

1. IGBT 器件技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展

隨著芯片的損耗降低和功率密度提高，功率器件給系統(tǒng)設(shè)計(jì)者更多的創(chuàng)新機(jī)會(huì)，也帶來(lái)設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。

討論：

● 芯片技術(shù)和特性，包括高速芯片，大功率芯片等及其應(yīng)用。

● Best-in –Class 產(chǎn)品

● 針對(duì)應(yīng)用開發(fā)的模塊

● 模塊應(yīng)用工藝的改進(jìn)，PressFIT 和 TIM

● 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

2. IGBT 應(yīng)用技術(shù)和技術(shù)資源

提出一位功率電路設(shè)計(jì)工程師團(tuán)隊(duì)需要掌握的基礎(chǔ)知識(shí)和器件技術(shù)和應(yīng)用技術(shù). 通過(guò)

例子介紹英飛凌的技術(shù)資源的獲得和應(yīng)用。

3. TRENCHSTOP™5 IGBT and Rapid 二極管 – 特性和設(shè)計(jì)考慮

TRENCHSTOP™5 系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了IGBT 在硬開關(guān)拓?fù)渲邢到y(tǒng)高效率以及極佳的溫升特性，

同時(shí)650V 的擊穿耐壓提高高速器件承受關(guān)斷電壓應(yīng)力的能力, 滿足光伏逆變器設(shè)計(jì)的基本要求。

為了發(fā)揮TRENCHSTOP™5的在逆變器中的開關(guān)性能， 英飛凌開發(fā)了新一代650V Rapid系列快恢復(fù)二極管。針對(duì)不同的開關(guān)頻率以及使用要求，我們提供了Vf優(yōu)化的Rapid1以及反向恢復(fù)特性優(yōu)化的Rapid2。

在實(shí)際的應(yīng)用中，什么樣的參數(shù)設(shè)計(jì)和電路布局才能讓我們真正發(fā)揮器件的最佳性能呢? 這是本單元主要要討論的內(nèi)容。

4. 新產(chǎn)品--- 用于級(jí)聯(lián)H-橋模塊及其解決方案

從一個(gè)針對(duì)應(yīng)用開發(fā)的產(chǎn)品為例, 從器件和系統(tǒng)角度講解如何實(shí)現(xiàn)低寄生電感, 降低芯片關(guān)斷應(yīng)力和改善熱特性. 從這個(gè)例子可以體會(huì)從器件(芯片)到系統(tǒng)的設(shè)計(jì)考慮.

5. 光伏逆變器的解決方案

光伏逆變器是個(gè)非常典型的應(yīng)用, 它對(duì)效率和壽命的追求, 推動(dòng)了功率器件技術(shù)的發(fā)展。其成熟的技術(shù)也在跨領(lǐng)域，跨功率等級(jí)向外滲透。如三電平技術(shù)在大功率變流器中應(yīng)用帶動(dòng)T型三電平模塊并聯(lián)技術(shù)的發(fā)展；高速，軟特性芯片在一些電路結(jié)構(gòu)更有生命力。

6. IGBT 開關(guān)過(guò)程中振蕩現(xiàn)象的分析

通過(guò)對(duì) 1700V, 3300V驅(qū)動(dòng)和功率電路的優(yōu)化，以及改變測(cè)試條件來(lái)進(jìn)一步分析和理解IGBT開關(guān)過(guò)程中振蕩產(chǎn)生的原因和可能性。從IGBT器件特性和應(yīng)用角度，結(jié)合一些波形，去討論如何盡可能降低這種不必要的振蕩問(wèn)題。

7. IGBT 驅(qū)動(dòng)技術(shù)

圍繞EiceDriver™采用的驅(qū)動(dòng)技術(shù), 如無(wú)磁芯變壓器技術(shù),絕緣體上硅技術(shù) , 討論在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)該注意的要點(diǎn)，以及實(shí)現(xiàn)方式。

8. IGBT的壽命和可靠性

在當(dāng)今的一些應(yīng)用中對(duì)系統(tǒng)的期望合格壽期２０年以上，如機(jī)車牽引，風(fēng)力發(fā)電和光伏等，而其中某些應(yīng)用的負(fù)載特性制約了IGBT 期望壽命。演講以電動(dòng)汽車為例討論如何選擇器件及評(píng)估IGBT可靠性，如何設(shè)計(jì)以滿足壽命要求等。

9. 光伏組串型逆變器的解決方案 (僅上海和深圳)

由復(fù)旦大學(xué)孫耀杰團(tuán)隊(duì)介紹采用英飛凌NPC2的模塊的12-25kW 光伏組串型逆變器的解決方案。

專題小組討論：

● IGBT 并聯(lián)技術(shù)

● IGBT 驅(qū)動(dòng)技術(shù)

● 電能傳輸和電能質(zhì)量的解決方案

● 器件的壽命和可靠性

● 如何提高逆變器的功率器件使用的性價(jià)比

此外, 英飛凌于2012年成功地在上海, 深圳，南京，北京以及西安五大城市舉辦了IGBT功率技術(shù)研討會(huì)。共計(jì)600多名嘉賓報(bào)名參會(huì), 現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)嘉賓與英飛凌專家互動(dòng)頻繁，氣氛活躍。

會(huì)議情況：

會(huì)議互動(dòng)：

產(chǎn)品演示