2014年功率半導(dǎo)體領(lǐng)域亞洲企業(yè)動(dòng)向值得關(guān)注

時(shí)間:2014-01-03

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):不僅是GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,日本以外的亞洲企業(yè)的實(shí)力也在逐漸增強(qiáng)。實(shí)際上,準(zhǔn)備生產(chǎn)SiC基板和二極管的企業(yè)越來越多,表現(xiàn)尤為突出的是SiC基板領(lǐng)域

2013年,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展迅速,中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲國(guó)家和地區(qū)的廠商開始大范圍涉足該領(lǐng)域,預(yù)計(jì)2014年,功率半導(dǎo)體的熱點(diǎn)將集中在這些國(guó)家和地區(qū)的廠商之中。

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。

SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說,能夠削減成本。

由于溝道型MOSFET具有以上特點(diǎn),日本各半導(dǎo)體廠商將其視作“可充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的晶體管第一候選”,正式開始進(jìn)行研究開發(fā)。

SiC備受汽車行業(yè)的期待。比如,電裝正在自主研發(fā)SiC基板和功率元件。當(dāng)然,該公司也在開發(fā)溝道型MOSFET,并宣布將于2015年推出產(chǎn)品。

日本各大企業(yè)紛紛開展GaN功率元件業(yè)務(wù)

GaN功率元件方面,日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了新產(chǎn)品,還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。其中,變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管(參閱本站報(bào)道)。耐壓600V的功率晶體管能夠應(yīng)用于空調(diào)、電磁爐等白色家電,混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的逆變器,光伏逆變器及工業(yè)設(shè)備等輸出功率在數(shù)百~數(shù)萬W的功率轉(zhuǎn)換器。

以前,GaN功率晶體管的耐壓大都在200V以下,耐壓600V的產(chǎn)品達(dá)到實(shí)用水平的只有美國(guó)Transphorm公司一家。進(jìn)入2013年,松下和夏普宣布涉足GaN功率元件業(yè)務(wù),前者于2013年3月開始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品,后者于2013年4月開始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品。此外,國(guó)際整流器公司(IR)公司及EPC公司也在為實(shí)現(xiàn)耐壓600V產(chǎn)品的實(shí)用化而進(jìn)行研發(fā)。

亞洲企業(yè)也紛紛涉足

前面提到的企業(yè)只不過是其中一小部分,另外還有很多企業(yè)著手研發(fā)GaN功率元件,準(zhǔn)備開展相關(guān)業(yè)務(wù)。今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間,估計(jì)會(huì)展開激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

尤其是韓國(guó)、中國(guó)大陸和臺(tái)灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈。GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能夠沿用過去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6~8英寸Si基板的生產(chǎn)設(shè)備以及面向LED引進(jìn)的GaN類半導(dǎo)體外延設(shè)備等,這將推動(dòng)亞洲企業(yè)涌進(jìn)該市場(chǎng)。

實(shí)際上,在2013年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際會(huì)議“ISPSD2013”上,中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲企業(yè)紛紛發(fā)布了GaN功率元件方面的研究成果。其中,三星電子的成果備受關(guān)注。該公司已在口徑200mm(8英寸)的Si基板上試制出了GaN功率晶體管。

三星電子最近在致力于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)。該公司于1998年將功率IC部門賣了飛兆半導(dǎo)體,但在2年前又成立了功率半導(dǎo)體部門。

不僅是GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,日本以外的亞洲企業(yè)的實(shí)力也在逐漸增強(qiáng)。實(shí)際上,準(zhǔn)備生產(chǎn)SiC基板和二極管的企業(yè)越來越多,表現(xiàn)尤為突出的是SiC基板領(lǐng)域。

中傳動(dòng)網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:

凡本網(wǎng)注明[來源:中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)(www.surachana.com)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個(gè)人轉(zhuǎn)載使用時(shí)須注明來源“中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。

本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。

如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

關(guān)注伺服與運(yùn)動(dòng)控制公眾號(hào)獲取更多資訊

關(guān)注直驅(qū)與傳動(dòng)公眾號(hào)獲取更多資訊

關(guān)注中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)公眾號(hào)獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

熱搜詞
  • 運(yùn)動(dòng)控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機(jī)器視覺
  • 機(jī)械傳動(dòng)
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機(jī)界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機(jī)器人
  • 低壓電器
  • 機(jī)柜
回頂部
點(diǎn)贊 0
取消 0