可以說打破國外高端大功率IGBT技術壟斷，一直是我國芯片研發(fā)的夢想。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領域中不可或缺。但是，國內IGBT技術起步較晚，發(fā)展艱難而緩慢。國內大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。近日，裝有首批8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。
我們都知道，現(xiàn)今絕緣柵雙極型晶體管芯片技術在電力電子行業(yè)中起到了“中樞控制”作用，其控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應用是衡量一個國家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標志。過去，全球IGBT技術主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)國家和地區(qū)手中。經過20多年的研發(fā)，中國南車上百位專家攻克了30多項重大難題，終于掌握該器件的成套技術。此次試運行的IGBT模塊，由南車時代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術均在公司研制和生產。此次成功試運行，拉開了國產8英寸IGBT芯片應用于軌道交通領域的序幕，打破了國際壟斷。
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