三菱電機株式會社將于11月30日開始發(fā)售“X系列HVIGBT※2模塊”，這是一款新開發(fā)的功率半導體模塊，額定規(guī)格為6.5kV/1000A，工作溫度為150℃，達到了業(yè)界頂級水平※1。該產(chǎn)品耐壓高，電流大，廣泛適用于鐵路牽引、直流輸電以及大型工業(yè)設備的逆變器設計。

※1截至2015年9月29日，根據(jù)本公司的調(diào)查

※2HighVoltageInsulatedGateBipolarTransistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管

X系列HVIGBT模塊（CM1000HG-130XA）

1．額定規(guī)格6.5kV/1000A，業(yè)界最大，易于實現(xiàn)逆變器的大容量化

?采用三菱CSTBTTM※5結(jié)構的第7代IGBT和RFC二極管※4，與以往產(chǎn)品相比※5，功率損耗降低約20％，熱阻降低約10％※5

?因功率損耗與熱阻降低，在保持與以往產(chǎn)品※6相同封裝的前提下，額定電流從750A提升到1000A，為逆變器的大容量化做貢獻

※3載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管

※4RelaxedFieldofCathode：本公司獨有二極管，提高了陰極側(cè)電子遷移率

※5將CM750HG-130R與第7代IGBT進行比較的情況

※6CM600HG-130H、CM750HG-130R

2．在世界上首次實現(xiàn)＋150℃的工作保證溫度，為逆變器的小型化做貢獻

?通過采用第7代IGBT和RFC二極管※4及溫度特性更好的封裝材料，在耐壓6.5kV的條件下，在世界上首次實現(xiàn)了150℃的工作保證溫度，達到業(yè)界最高水平※1

?由于可在高溫下使用，因此逆變器冷卻系統(tǒng)得到了簡化，有利于逆變器的小型化，提高了設計的自由度

3．確保與以往產(chǎn)品外形封裝兼容，有助于縮短逆變器的研發(fā)時間

?確保外形封裝尺寸、輸出端子的配置等與以往產(chǎn)品※6兼容，從而便于替換升級，有助于縮短逆變器的研發(fā)時間。

發(fā)售概要

主要目標

三菱電機的“HVIGBT”模塊自1997年實現(xiàn)產(chǎn)品化以來，以其優(yōu)異的性能和高可靠性獲得好評，被廣泛應用于鐵路車輛牽引系統(tǒng)、直流輸電設備以及大型工業(yè)設備等的逆變器。

近年來，由于人們環(huán)保意識提高，對逆變器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越來越高。

為了滿足上述市場需求，本公司此次將發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”，該產(chǎn)品通過采用三菱第7代IGBT和RFC二極管，降低了功率損耗與熱阻，易于實現(xiàn)逆變器的大容量化和小型化。

我們首先將推出耐壓6.5kV的產(chǎn)品，今后還將增加3.3kV和4.5kV產(chǎn)品，擴大產(chǎn)品陣容，為逆變器的大容量、小型化做貢獻。

主要規(guī)格