據(jù)報道，在韓國政府主導(dǎo)下，三星電子和SK海力士統(tǒng)籌成立了一個總規(guī)模達2000億韓元(約11.8億人民幣)的基半導(dǎo)體希望基金，投資一些具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。

業(yè)內(nèi)人士分析，韓國的半導(dǎo)體希望基金金額規(guī)模雖然不大，但這個意義是非常大，因為是由韓國兩大企業(yè)領(lǐng)銜。同時由于資金有限，這個基金的方向應(yīng)該不是在于建設(shè)新廠，擴充產(chǎn)能，更多是聚焦在新技術(shù)的開發(fā)，尤其是存儲新技術(shù)方面的投入。

報導(dǎo)引述南韓企劃財務(wù)部副部長周亨煥談話指出，期許“半導(dǎo)體希望基金”，能成為促進南韓系統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的催化劑。

過去幾年內(nèi)中國正在大舉發(fā)展半導(dǎo)體，尤其是最近一年，密集的推出相關(guān)的存儲產(chǎn)業(yè)園布局和建設(shè)，直指三星和SK海力士的大本營，韓國半導(dǎo)體的腹地。

在這個時候做這樣的決定，韓國政府這是緊張了?

中國進攻存儲，觸動了韓國的神經(jīng)

從2014年建立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，再到去年公布“中國制造2025”，中國政府已經(jīng)把建設(shè)自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈提上了重要的地位。而在這兩年的對外收購兼并，對內(nèi)投資建設(shè)推動下，中國半導(dǎo)體獲得了飛速發(fā)展。

據(jù)媒體報道，中國大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010年210.3億美元逐年成長至2015年579.7億美元，2010~2015年復(fù)合成長率達19.1%。DigitimesResearch預(yù)估，雖然智能手機出貨量成長趨緩，加上全球經(jīng)濟前景不確定性仍高，但在大陸IC內(nèi)需市場仍能穩(wěn)定成長，加上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持推動下，2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達666.4億美元，年成長15%。

在IC設(shè)計、制造、封裝、測試多個領(lǐng)域齊頭并進的時候，中國半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。

從去年的全球半導(dǎo)體市場看，半導(dǎo)體存儲器的銷售額為772億美元，在半導(dǎo)體市場中占比為23%。相比之下，微處理器、邏輯IC和模擬電路的市場占比則分別為19%、28%和13%。由此可見，存儲的地位舉足輕重。

但對比明顯的是，中國存儲產(chǎn)業(yè)幾近一片空白，除了兆易創(chuàng)新等幾家公司在特殊領(lǐng)域有一些存儲器產(chǎn)品，其他通用領(lǐng)域近乎于無，所以90%以上依賴進口。據(jù)市場研究機構(gòu)數(shù)據(jù)，2015年中國DRAM采購金額約為120億美元，NANDFlash采購金額為66.7億美元，各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%，在未來幾年需求將會暴增，為了控制成本，保證安全，中國于是開始打造自主存儲產(chǎn)業(yè)鏈，從而掀起了轟轟烈烈的存儲產(chǎn)業(yè)建設(shè)熱潮。

目前主要集中在合肥、晉江和武漢等地方布局。

據(jù)了解，合肥當(dāng)?shù)氐拇鎯I(yè)務(wù)由合肥市政府與爾必達前社長坂本幸雄所建立的兆基科技合作推進，瞄準的是DRAM;

晉江方面則是由晉江當(dāng)?shù)氐臅x華集成電路公司主導(dǎo)，聯(lián)合聯(lián)華電子，在當(dāng)?shù)卮蛟霥RAM產(chǎn)品線;

武漢則由紫光收購武漢新芯建立的長江存儲主導(dǎo)，而未來聚焦的是NANDFLASH，尤其是新近興起的3DNANDFlash。

中國的目標(biāo)是到2020年存儲芯片自給率達到40%，這將會觸犯三星和SK海力士為首的韓國半導(dǎo)體業(yè)者的利益。

從韓國半導(dǎo)體的發(fā)展?fàn)顩r我們可以得知，他們目前的數(shù)百家半導(dǎo)體及其相關(guān)企業(yè)主要分為元件、設(shè)計、設(shè)備和材料幾類，當(dāng)中以存儲型半導(dǎo)體占比最大，據(jù)市場數(shù)據(jù)顯示，韓國的存儲型半導(dǎo)體占其半導(dǎo)體產(chǎn)值80%以上的市場。而三星和SK海力士則分居存儲器市場第一二名的位置。

據(jù)韓媒MoneyToday報導(dǎo)，市調(diào)機構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻逆勢成長。從整年度的市占率來看，三星占45.3%創(chuàng)下歷史新高;而排名第二的SK海力士(SKHynix)為27.7%，營收124.89億美元，較2014年126.66億美元減少，但市占率微幅增加。

值得一提的是三星電子自1992年開發(fā)出64MbDRAM之后，連續(xù)24年蟬聯(lián)DRAM半導(dǎo)體全球市占率第一，NANDFlash方面也自2002年起就維持第一名到現(xiàn)在。

從八月份的一個數(shù)據(jù)我們得知，這兩家企業(yè)占了DRAM全球市場份額的75%，而在2015年，兩者的NANDFLASH全球市場份額也高達45%，按今年7月的數(shù)據(jù)，光三星一家，其2016年第一季度的NANDFLASH市場份額就高達42.6%。這個比例有點驚人。

2015年主要原廠NANDFlash的市場份額

根據(jù)Digitimes的數(shù)據(jù)顯示，2015年，韓國半導(dǎo)體的半導(dǎo)體出口金額自2014年626億美元增加3億美元至629億美元，連續(xù)2年創(chuàng)新高。其中存儲器的的出口金額雖然從2014年340億美元相對高點略減至338億美元，但是其在韓國半導(dǎo)體出口中所占的份額則高達50%以上，可見存儲器對韓國的重要性。

另外，我們從以往的數(shù)據(jù)可以看到，韓國的三星和SK海力士在中國是僅次于Intel的第二、第三位供應(yīng)商。由此可以看出，韓國理應(yīng)對中國建設(shè)存儲產(chǎn)業(yè)緊張，進而建立了這個半導(dǎo)體希望基金。

中國大陸存儲將面臨更大壓力

從上面的介紹中我們得知，存儲產(chǎn)業(yè)主要由DRAM和FLASH兩種產(chǎn)品組成。而在這兩方面，韓國兩家企業(yè)都有領(lǐng)先的優(yōu)勢，這些都不可能是一蹴而就的。

首先從成本上分析一下。

研究機構(gòu)BernsteinResearch表示，存儲產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起，光土地、廠房不含設(shè)備，可能就得耗掉32~42億人民幣，研究機構(gòu)Bernstein預(yù)估，若要取得DRAM或NANDFlash其中一個市場的一席之地，至少需15%左右的市占，以2014年第四季產(chǎn)能來估算，一個月產(chǎn)出得達20萬片(資本支出大約在200億美元，約1352億人民幣左右)。

在追逐市占的過程中，若產(chǎn)能一個月增加到20萬片的幅度，市場將出現(xiàn)超額供給，對于初期生產(chǎn)成本較高的新進者而言，價格會掉到成本以下，新進者即便前面16~24個月之間投入200億美元以上的資本支出，十年內(nèi)仍會落后產(chǎn)業(yè)先進者一個世代以上。

Bernstein預(yù)估，新進者投入DRAM產(chǎn)業(yè)，將得承受前面十年400億美元(約2703億人民幣)的虧損，投入NAND產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨350億美元(約2365億人民幣)損失的心理準備。

因此從資金投入上看，對中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就是一個大挑戰(zhàn)。雖然有國家的支持，但這也是一筆不少的支出。

其次就是技術(shù)。

我們知道三星和SK海力士能夠從諸多競爭對手中突圍而出，除了其雄厚的資金做支持外，他們在技術(shù)上面的積累也異常重要。韓國半導(dǎo)體業(yè)界普遍認為，中國大陸在DRAM和NANDFlash的技術(shù)與三星電子和SK海力士的技術(shù)相差甚遠，難以在短時間內(nèi)趕上。

這不但體現(xiàn)在其技術(shù)、基礎(chǔ)積累，更體現(xiàn)在其專利上。三星等企業(yè)已經(jīng)在存儲器方面布下了嚴密的專利網(wǎng)，對于中國企業(yè)來說，是一個巨大的挑戰(zhàn)。

很多國內(nèi)媒體認為，3DNANDFlash會是中國的突圍方向。我們不妨來看一下這方面的差距。

現(xiàn)在各家半導(dǎo)體大廠的3DNAND技術(shù)早已如火如荼在開發(fā)中，目前進入32層堆疊技術(shù)，業(yè)界都認為2017年下半是3DNAND產(chǎn)能大量開出之時，目前看來時間點是對的，但各家半導(dǎo)體大場面臨的考驗恐怕會比預(yù)期艱巨數(shù)倍。

過去平面NANDFlash芯片朝兩方面前進，一是陸續(xù)有SLC、MLC、TLC型NANDFlash芯片的演進來提高儲存容量并降低成本;二是制程技術(shù)不斷往前，目前已經(jīng)進入18/16/15納米制程，但無法否認的是，技術(shù)前進的同時，其NANDFlash的氧化層越薄，芯片可靠性是遞減的，因此需要用額外的方式來增強效能，這又使得成本提升，因此，平面NANDFlash技術(shù)已無法滿足市場需求，開始進入3DNAND時代。

進入3DNAND技術(shù)后，制程技術(shù)的演進成為其次，堆疊層數(shù)才是重點，層數(shù)越高會使儲存容量越大。不過，當(dāng)堆疊層數(shù)越高時，各層對準的技術(shù)就很困難，定位技術(shù)必須做的好，因為堆越高會越難對準。

三星曾對外表示，不久將來會看到100層堆疊的技術(shù)出現(xiàn)。根據(jù)業(yè)界進度，2017年3DNAND技術(shù)會到80層，2020年到100層，至于3DNAND技術(shù)的堆疊極限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至認為可堆到200層，但以目前技術(shù)挑戰(zhàn)而言，真的堆疊到200層，恐怕對準的精準度是很大考驗，可能良率也不見得太好，即使是2020年到100層，恐怕難度都很高。

三星在3DNAND技術(shù)世代上仍是龍頭廠，是全球第一家量產(chǎn)3DNAND技術(shù)的半導(dǎo)體廠，技術(shù)演進也最扎實。三星在2013年推出24層疊的3DNAND芯片，之后32層堆疊、48層堆疊的芯片陸續(xù)問世。

三星計劃今年第4季轉(zhuǎn)進第四代64層堆疊技術(shù)的3DNAND芯片，估計每片晶圓的儲存容量再提高30%，意味成本持續(xù)下降，三星也對外指出，100層堆疊以上的技術(shù)不是夢。

而在DRAM方面，同樣以三星為例。

BusinessKorea31日報導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn)18納米制程DRAM，準備在明年下半生產(chǎn)15、16納米DRAM。同時，該公司將拉高18納米DRAM占整體DRAM的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至30~40%。相關(guān)人士說，明年三星10納米等級DRAM，將占整體DRAM生產(chǎn)的一半。

研究估計，當(dāng)前三星DRAM生產(chǎn)以20納米為主、占82%，18納米僅占12%。

三星制程微縮進展比原先預(yù)期更為快速，內(nèi)存部門主管ChungEun-seung2015年初暗示，2020年將量產(chǎn)10納米等級DRAM，如今看來，應(yīng)該2019年初就能達成目標(biāo)。

本身三星的SK海力士的發(fā)展是由韓國政府在背后的支持而發(fā)展起來的，在中國在效仿韓日，想打造自己的存儲產(chǎn)業(yè)的時候，甚至用九倍年薪從韓國挖人，積累技術(shù)儲備的時候，上任以來一直在打擊三星的樸槿惠政府這時候走出來支持三星和SK海力士，無疑釋放出了一個明顯的信號，政府支持三星和SK海力士對抗來自中國的威脅，雖然十幾億人民幣的基金跟中國上千億的基金規(guī)模沒得比，但是由于其本身的技術(shù)積累，對于中國存儲來說，韓國政府的這個做法，也會讓其感到不安。

難道當(dāng)年韓國打擊臺灣DRAM發(fā)展的故事又將重演?

在2008年金融海嘯發(fā)生以后，當(dāng)年臺灣DRAM技術(shù)的主要來源無能力投入更多的資金進行研發(fā)之時，三星李健熙逮到機會，執(zhí)行三星最常用的逆勢投資法，在臺日兩國停止投資后，反而增加資本支出、強化研發(fā)支出，加速推進制程技術(shù)及價格戰(zhàn)，這也造成后來爾必達及臺灣DRAM廠紛紛宣布破產(chǎn)下市。

中國在各個方面技術(shù)還不如臺灣的情況下，這下在面臨的挑戰(zhàn)無疑是更加巨大了。

雖然面臨的挑戰(zhàn)依然巨大，但對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，存儲的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。中國大陸或可繼承臺灣未竟之事業(yè)，打造真正的中國存儲。

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