國(guó)產(chǎn)芯片面臨內(nèi)外雙重挑戰(zhàn) 自主可控技術(shù)仍需加強(qiáng)

時(shí)間:2017-07-10

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導(dǎo)語(yǔ):近十年來(lái),國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵技術(shù)自主可控方面已取得一定成效,但全球市場(chǎng)占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達(dá)國(guó)家差距較大。

近十年來(lái),國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵技術(shù)自主可控方面已取得一定成效,但全球市場(chǎng)占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達(dá)國(guó)家差距較大。為此,國(guó)家加大了對(duì)集成電路的制造、設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備和材料的投資力度,并通過并購(gòu)等形成了一批力量,為國(guó)家芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展打下了重要基礎(chǔ)。

作為信息通信產(chǎn)業(yè)的重中之重,半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)的規(guī)模和技術(shù)水平?jīng)Q定了國(guó)家信息通信產(chǎn)業(yè)是否能在全球整體市場(chǎng)環(huán)境中占據(jù)優(yōu)勢(shì),也決定了國(guó)家多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域變革與轉(zhuǎn)型的發(fā)展速度。

隨著國(guó)家“互聯(lián)網(wǎng)+”、“中國(guó)制造2025”以及5G戰(zhàn)略的進(jìn)一步推進(jìn),芯片領(lǐng)域面臨巨大的市場(chǎng)需求。有指出,截至目前,我國(guó)的芯片、傳感器、操作系統(tǒng)等核心基礎(chǔ)能力依然薄弱,高端產(chǎn)品研發(fā)與創(chuàng)新能力與發(fā)達(dá)國(guó)家差距較大,芯片業(yè)已與原油并列成為我國(guó)進(jìn)口份額最大的兩類產(chǎn)品。

2016年,中國(guó)集成電路進(jìn)口額高達(dá)2271億美元,亦是連續(xù)第四年芯片產(chǎn)品進(jìn)口費(fèi)用超過2000億美元。與此同時(shí),我國(guó)集成電路出口金額卻僅為613.8億美元,貿(mào)易逆差高達(dá)1657億美元。以傳感器為例,中高端傳感器進(jìn)口比例達(dá)80%,傳感芯片進(jìn)口比例達(dá)90%,跨國(guó)公司在中國(guó)MEMS傳感器市場(chǎng)占比高達(dá)60%,并缺乏引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)發(fā)展的龍頭企業(yè)。

盡管近十年來(lái),國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵技術(shù)自主可控方面已取得一定成效,但全球市場(chǎng)占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,且制造企業(yè)在規(guī)模、創(chuàng)新研發(fā)與設(shè)計(jì)以及生產(chǎn)承接能力方面依舊落后于全球領(lǐng)先廠商。長(zhǎng)期依賴進(jìn)口芯片無(wú)論是對(duì)于國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展抑或是更高層面的國(guó)家安全均不是長(zhǎng)久之計(jì)。

當(dāng)前,中國(guó)在大力推動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展和關(guān)鍵技術(shù)自主可控過程中,主要面臨著來(lái)自國(guó)內(nèi)和國(guó)外兩個(gè)層面的挑戰(zhàn)。

一方面,我國(guó)是全球芯片需求大國(guó),芯片市場(chǎng)需求總量約占全球的1/3,芯片需求量之巨大可見一斑;另一方面,由于涉及到專利保護(hù)、技術(shù)封鎖等問題,未來(lái)通過直接從他國(guó)購(gòu)買芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)的方式,難度可能將進(jìn)一步加大。

那如何在芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破呢?眾所周知,芯片業(yè)具備高投入、高風(fēng)險(xiǎn)、高回報(bào)以及技術(shù)密集、人才密集、資本密集的產(chǎn)業(yè)特性,這樣的產(chǎn)業(yè)特性就決定了需要在人才招募和培養(yǎng)、資金投入、技術(shù)創(chuàng)新突破和先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)研究積累等方面集中優(yōu)勢(shì)化的密集資源。

為此,近些年國(guó)家加大了對(duì)集成電路的制造、設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備和材料的投資力度,并通過并購(gòu)等形成了一批力量,為國(guó)家芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展打下了重要基礎(chǔ)。

7月6日,總投資30億元、一期投資15億元的寧夏銀和年產(chǎn)180萬(wàn)片8英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目在銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)西區(qū)投產(chǎn)。該項(xiàng)目填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)8英寸以上硅拋光片量產(chǎn)的空白,打破國(guó)外公司對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體硅片材料市場(chǎng)的壟斷。

下一步,寧夏銀和半導(dǎo)體科技有限公司將投資60億元,啟動(dòng)年產(chǎn)360萬(wàn)片8英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目和年產(chǎn)240萬(wàn)片12英寸半導(dǎo)體硅拋光片項(xiàng)目,通過開展高品質(zhì)半導(dǎo)體硅片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,建成具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸和12英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)化、創(chuàng)新研究和開發(fā)基地。

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