材料產(chǎn)業(yè)處于集成電路制造環(huán)節(jié)的上游，材料的質(zhì)量直接影響集成電路產(chǎn)品質(zhì)量，材料的穩(wěn)定供應(yīng)也與企業(yè)生產(chǎn)進度綁定。近日863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。

受惠于內(nèi)存價格大漲帶動半導(dǎo)體市場增長，Gartner預(yù)測，2017年全球半導(dǎo)體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復(fù)蘇且全球半導(dǎo)體營收增加31.8%之后，增長最為強勁的一次。

Gartner表示看好明年市場仍維持增長。Gartner預(yù)測，2018年半導(dǎo)體市場可望增長4%，達到4274億美元規(guī)模，繼續(xù)創(chuàng)新高。在全球利好趨勢下，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速增長，帶動半導(dǎo)體材料需求快速釋放。

今年以來隨著晶圓代工龍頭臺積電開始量產(chǎn)10納米制程，明年上半年更將跨入7納米制程，且英特爾今年底前也將開始放量生產(chǎn)10納米制程，三星明年也將進入8納米LPP制程，晶圓廠對于設(shè)備需求正持續(xù)擴大。

業(yè)內(nèi)人士表示表示，今年以來半導(dǎo)體設(shè)備支出維持在高檔水位，同步帶動設(shè)備概念股業(yè)績創(chuàng)下新高。然而目前國內(nèi)半導(dǎo)體材料絕大部分仍依賴進口，本土半導(dǎo)體材料廠商僅能滿足約20%的需求，且大多為中低端材料。

要知道，材料產(chǎn)業(yè)處于集成電路制造環(huán)節(jié)的上游，材料的質(zhì)量直接影響集成電路產(chǎn)品質(zhì)量，材料的穩(wěn)定供應(yīng)也與企業(yè)生產(chǎn)進度綁定，甚至對集成電路產(chǎn)品的市場價格走勢帶來決定性影響。

不過近日我國在半導(dǎo)體制造材料制造設(shè)備方面有了新突破。相關(guān)消息表示，近日863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。

在國家863計劃的支持下，由新疆天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司牽頭，中科院物理研究所、半導(dǎo)體研究所、浙江大學(xué)等單位共同參與的研發(fā)團隊成功研制了滿足高壓SiC電力電子器件制造所需的4-6英寸SiC單晶生長爐關(guān)鍵裝備，形成了我國具有自主知識產(chǎn)權(quán)的4-6英寸SiC單晶生長爐關(guān)鍵裝備體系。

所研制的4-6英寸通用型SiC單晶爐，實現(xiàn)了“零微管”(微管密度<1個/cm2)4英寸SiC單晶襯底和低缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術(shù)，掌握了相關(guān)外延工藝技術(shù)，生長出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制備了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二極管系列產(chǎn)品。目前已在市場上批量推廣使用。

隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)技術(shù)不斷獲得新進展，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會信息交流部主任任振川認為，未來三到五年中國集成電路產(chǎn)業(yè)預(yù)計將保持年均20%的增長，未來對半導(dǎo)體材料的需求巨大，國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場潛力巨大，未來幾年中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)將迎來新一輪發(fā)展機遇，產(chǎn)業(yè)自給率有望逐步提升，國產(chǎn)化替代前景值得期待。

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