三星欲獨(dú)霸DRAM和閃存市場(chǎng) 明年或提高資本支出預(yù)算

時(shí)間:2017-12-11

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導(dǎo)語(yǔ):據(jù)外媒報(bào)道,經(jīng)過(guò)50年的發(fā)展,半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然顯得非?;钴S,它在今年有望增長(zhǎng)20%。隨著高增長(zhǎng)而來(lái)的是供應(yīng)短缺,這就是DRAM和閃存價(jià)格為什么今年會(huì)上漲的原因。

在內(nèi)存市場(chǎng)上三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山,據(jù)悉,明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,是想進(jìn)一步壟斷DRAM和NAND閃存市場(chǎng),可以說(shuō)這是一場(chǎng)260億美元的豪賭。

據(jù)外媒報(bào)道,經(jīng)過(guò)50年的發(fā)展,半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然顯得非?;钴S,它在今年有望增長(zhǎng)20%。隨著高增長(zhǎng)而來(lái)的是供應(yīng)短缺,這就是DRAM和閃存價(jià)格為什么今年會(huì)上漲的原因。

三星在DRAM和閃存市場(chǎng)占有半壁江山。它計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,提高至260億美元。相對(duì)而言,英特爾在2017年的資本支出預(yù)算僅為120億美元,較2016年增長(zhǎng)了25%。事實(shí)上,三星的預(yù)算約為2017年三家大公司英特爾、臺(tái)積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。

三星的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手現(xiàn)在面臨著一個(gè)艱難的抉擇。它們要么提高資本支出預(yù)算,保障足夠的供應(yīng)量,從而保有自己的市場(chǎng)份額,要么干脆放棄競(jìng)爭(zhēng),因?yàn)槿歉叩漠a(chǎn)能將會(huì)產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。

任何想要追趕三星的公司都面臨著整個(gè)行業(yè)供給過(guò)剩、價(jià)格下滑以及虧損擴(kuò)大的問(wèn)題。半導(dǎo)體工廠必須全負(fù)荷運(yùn)行,才能維持最低的成本,只要價(jià)格能夠支付各種可變開(kāi)支和固定成本,那就值得繼續(xù)維持工廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

但是,如果它們不增加預(yù)算,提高產(chǎn)能,那么它們就可能面臨市場(chǎng)份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的后果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷?。英特爾幾十年前就退出了DRAM業(yè)務(wù)。

英特爾和鎂光依靠其3DXPointNVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場(chǎng)上占有一席之地。但是,這一希望注定落空,因?yàn)樗鼈儧Q定將3DXPoint捆綁到英特爾CPU上。此外,三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購(gòu)買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)。

對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō),一個(gè)利好的消息是:在未來(lái)12-18個(gè)月內(nèi),我們應(yīng)該會(huì)看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看我們可能會(huì)看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn),減緩價(jià)格下降速度以及遏制競(jìng)爭(zhēng)

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