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聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災評估這個微處理器芯片。

聯(lián)華電子宣布，該公司推出40納米結合SiliconStorageTechnology（SST）嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性存儲器的制程平臺。新推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，較量產(chǎn)的55納米單元尺寸減少20%以上，并使整體存儲器面積縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司已開始評估其微處理器（MCU）芯片于聯(lián)華電子40納米SST技術平臺的適用性。

東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司混合信號芯片部門副總松井俊也表示：「我們期待采用聯(lián)華電子40納米SST技術有助于提升我們MCU產(chǎn)品的性能。與聯(lián)電合作，透過穩(wěn)定的制造供應及配合我們的生產(chǎn)需求提供靈活的產(chǎn)能，亦將使我們能夠保持強勁的業(yè)務連續(xù)性計畫（BCP）?！?/P>

已有超過20個客戶和產(chǎn)品正以聯(lián)華電子55納米SST嵌入式快閃存儲器制程進行各階段的生產(chǎn)，包含了SIM卡，金融交易，汽車，物聯(lián)網(wǎng)，MCU及其它應用產(chǎn)品。

聯(lián)華電子特殊技術組織協(xié)理丁文琪表示：「自2015年提供55納米SST嵌入式快閃存儲器成為主流技術以來，我們一直受到客戶的高度關注，藉此制程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車、工業(yè)、消費者和物聯(lián)網(wǎng)的應用。我們很高興將這些產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)，并正努力將這嵌入式快閃存儲器解決方案擴展到40納米的技術平臺，期待將SST的高速度和高可靠性優(yōu)勢帶給東芝和其它晶圓專工客戶?！?/P>

聯(lián)華電子堅實的分離式閘極存儲器單元SST制程，依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標準，具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃～125℃溫度下，數(shù)據(jù)可保存10年以上。除40納米SST制程外，還有20多家客戶使用該公司的55納米SST技術生產(chǎn)各類應用產(chǎn)品。