佳能公司宣布將于2018年12月下旬發(fā)布針對半導體曝光設備后道工序的i線光刻機※1「FPA-5520iV」系列的高分辨率新產(chǎn)品“FPA-5520iVHROption”，強化FOWLP※2功能，并進一步提升生產(chǎn)效率。

FOWLP功能的半導體曝光設備市場正在擴大。在FOWLP封裝技術市場中，對高密度布線的需求高，進而提高了對分辨率的要求。

新產(chǎn)品在繼承了“FPA-5520iV”（2016年7月上市）的強大FOWLP功能及高生產(chǎn)效率等基本性能的同時，進一步提高了分辨率，達0.8微米※3。

實現(xiàn)分辨率0.8微米

“FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率，而在“FPA-5520iVHROption”中采用了全新投射光學系統(tǒng)，使針對封裝的光刻機可以實現(xiàn)分辨率0.8微米的微細圖形加工，達到業(yè)界最高水平※4。由此，半導體芯片可更小，而且能夠增加信息處理量，提升處理速度。

繼承“FPA-5520iV”的基本性能

新產(chǎn)品同時也繼承了“FPA-5520iV”已實現(xiàn)的多個基本性能。如可以靈活應對再構成基板※5變形等FOWLP技術中的量產(chǎn)問題，以及在芯片排列偏差較大的再構成基板上檢測校準標記※6、從而提高生產(chǎn)效率等性能。

佳能未來將繼續(xù)提供針對半導體曝光設備的多種解決方案和升級選項等，來滿足市場需求。

※1使用水銀燈波長為365納米光源的半導體曝光設備。1納米是10億分之一米。

※2FanOutWaferLevelPackage的簡寫。封裝技術的一種。有可以應對無基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢。

※31微米是100萬分之一米。（=1000分之一毫米）

※4判斷條件為同等級的i線光刻機，并硅片平坦度相同的情況。截止2018年12月10日。（佳能調(diào)查）

※5將從半導體光刻機前道工序中制造的晶元中取出多個半導體芯片原件并排列，用樹脂固定成晶元形狀的基板。

※6用來校準曝光設備在基板上的位置。通過觀察和測量多個標記，精密把握曝光裝置的位置。

半導體曝光設備的市場動向

通過微型化實現(xiàn)高度集成的半導體元件制造工藝暫時處于停滯狀態(tài)。作為微型化以外的高度集成方法之一，提高封裝布線密度的方案被提出。其中，F(xiàn)OWLP作為最有力的技術受到廣泛關注，伴隨后道工序制造廠商量產(chǎn)化趨勢逐漸興起的同時，F(xiàn)OWLP的RDL※微型化也得到了發(fā)展。

※RedistributionLayer的簡寫。從芯片上的高密度的端點到封裝間布線的層。

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