3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)正式開(kāi)打

時(shí)間:2018-12-24

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):近日,臺(tái)灣主管部門(mén)宣布,臺(tái)積電3nm工廠環(huán)評(píng)正式通過(guò),這個(gè)總投資規(guī)模約200億美元的項(xiàng)目進(jìn)入了一個(gè)新階段。

近日,臺(tái)灣主管部門(mén)宣布,臺(tái)積電3nm工廠環(huán)評(píng)正式通過(guò),這個(gè)總投資規(guī)模約200億美元的項(xiàng)目進(jìn)入了一個(gè)新階段。

對(duì)于3nm晶圓廠來(lái)說(shuō),除了技術(shù)研發(fā)之外,它對(duì)水電的消耗也不容忽視,特別是在大量使用EUV工藝之后,我們之前在介紹EUV光刻機(jī)時(shí)就提到過(guò)這個(gè)問(wèn)題,由于EUV極其耗電,因?yàn)?3.5nm的紫外光容易被吸收,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率非常低,據(jù)說(shuō)只有0.02%,目前ASML的EUV光刻機(jī)輸出功率是250W,工作一天就要耗電3萬(wàn)度,所以晶圓廠耗電量極其驚人,臺(tái)積電公布的2016社會(huì)責(zé)任報(bào)告中提到耗電量總計(jì)88.5億度。

除了耗電之外,晶圓廠在制造芯片的過(guò)程中還需要大量水源,大型晶圓廠每日用水量高達(dá)5萬(wàn)噸,盡管現(xiàn)在已經(jīng)做到了80%以上的循環(huán)用水,但是總量依然驚人,所以建設(shè)半導(dǎo)體晶圓廠對(duì)環(huán)境方面的壓力還是很大的,工藝越先進(jìn),問(wèn)題就越明顯。

臺(tái)積電公司總裁魏哲家在月初曾表示,3納米的技術(shù)也都已經(jīng)到位,一切就等環(huán)評(píng)通過(guò)。聯(lián)想到三星在早前宣布3nm提速,可以肯定地說(shuō),3nm競(jìng)爭(zhēng)正式開(kāi)打。

首先看臺(tái)積電,他們的3nm晶圓廠坐落在臺(tái)灣南科園區(qū),占地28公頃,位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠。今年8月中旬臺(tái)灣環(huán)保部門(mén)已經(jīng)通過(guò)了“臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)畫(huà)環(huán)差案”初審,昨天環(huán)差案通過(guò)審查,臺(tái)積電將于2020年9月自南科管理局取得用地后,隨即動(dòng)土展開(kāi)3納米新廠興建作業(yè)。

根據(jù)臺(tái)積電的資料,他們的3nm項(xiàng)目投資超過(guò)6000億新臺(tái)幣,約為194億美元或者1347億人民幣,2020年開(kāi)始建廠,2021年完成設(shè)備安裝,預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn)。

再看三星,他們?cè)诰A代工方面的野心昭然若揭。

該公司晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人EunSeungJung日前在國(guó)際電子元件會(huì)議(IEDM)表示,三星已完成3納米制程技術(shù)的性能驗(yàn)證,正在進(jìn)一步完善制程技術(shù),目標(biāo)是預(yù)計(jì)2020年大規(guī)模量產(chǎn),這時(shí)程也將超前臺(tái)積電2022年正式量產(chǎn)3納米制程技術(shù)。

晶體管,晶圓代工,晶圓廠

全球晶圓代工市場(chǎng),目前臺(tái)積電一家獨(dú)大,占全球晶圓代工市場(chǎng)約60%市占率。不僅營(yíng)收遠(yuǎn)超其他廠商,且最先進(jìn)的7納米制程節(jié)點(diǎn),幾乎壟斷所有芯片代工訂單。據(jù)臺(tái)積電表示,2018年制造了50多個(gè)7納米芯片,2019年還有100多個(gè)7納米及加強(qiáng)版7納米+制程訂單。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星要在7納米制程節(jié)點(diǎn)追趕臺(tái)積電難度很高,所以將目光放在更先進(jìn)的3納米制程節(jié)點(diǎn)。

根據(jù)三星的規(guī)劃,他們將在3nm上用上GAA技術(shù),而他們研發(fā)的產(chǎn)品叫做MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管),按照九月份的時(shí)候的報(bào)道,這個(gè)技術(shù)正在使用納米層設(shè)備開(kāi)發(fā)之中。

所謂GAAE/GAAP(3nmGate-All-AroundEarly/Plus)Gate-All-Around就是環(huán)繞柵極,相比于現(xiàn)在的FinFETTri-Gate三柵極設(shè)計(jì),將重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu),克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限,增強(qiáng)柵極控制,性能大大提升。

對(duì)本土的晶圓廠來(lái)說(shuō),要追逐先進(jìn)制程,那就需要花費(fèi)更多的精力和時(shí)間了。

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