存儲(chǔ)器需求疲軟 企業(yè)見(jiàn)勢(shì)不對(duì),縮減投資

時(shí)間:2019-01-26

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):對(duì)于剛過(guò)去的2018年,手機(jī)銷(xiāo)量總體平平。據(jù)中國(guó)信息通信研究院發(fā)表的數(shù)據(jù)顯示,2018年國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨量為4.14億部,同比下降15.6%。據(jù)多家調(diào)查機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2018年全球智能手機(jī)銷(xiāo)量同比下降在1%-3%。

受大環(huán)境影響,手機(jī)、PC、服務(wù)器等終端市場(chǎng)疲軟,城門(mén)失火殃及池魚(yú),受連累的存儲(chǔ)器也逃不過(guò)利益縮水的危況,三星、SK海力士、美光等存儲(chǔ)大廠(chǎng)紛紛調(diào)整生產(chǎn)戰(zhàn)略,這對(duì)于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)是好還是壞呢?

手機(jī)需求放緩

對(duì)于剛過(guò)去的2018年,手機(jī)銷(xiāo)量總體平平。據(jù)中國(guó)信息通信研究院發(fā)表的數(shù)據(jù)顯示,2018年國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨量為4.14億部,同比下降15.6%。據(jù)多家調(diào)查機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2018年全球智能手機(jī)銷(xiāo)量同比下降在1%-3%。

存儲(chǔ)器

全球手機(jī)需求疲軟,預(yù)計(jì)2019年手機(jī)產(chǎn)量為14.1億臺(tái),比2018年同比下降3.3%。加上中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響,下降幅度有可能會(huì)擴(kuò)大到5%由于市場(chǎng)疲軟,蘋(píng)果最新款的銷(xiāo)售情況沒(méi)有達(dá)到預(yù)期,甚至iPhoneXR的庫(kù)存已經(jīng)膨脹,網(wǎng)友更是放出“蘋(píng)果滯銷(xiāo),救救果農(nóng)”的圖片。近日來(lái),國(guó)內(nèi)電商平臺(tái)包括京東、蘇寧等已對(duì)iPhone8、iPhone8Plus、iPhoneXR三款機(jī)型大幅降價(jià)。

受多種因素影響,導(dǎo)致手機(jī)市場(chǎng)整體低迷,援引某行內(nèi)人士觀(guān)點(diǎn),智能手機(jī)行業(yè)終于接近飽和,換機(jī)行為持續(xù)拉長(zhǎng),從用戶(hù)的角度來(lái)看,這主要由三個(gè)長(zhǎng)期因素所驅(qū)動(dòng):升級(jí)到最新型號(hào)手機(jī)的好處不斷減少、新設(shè)備的平均價(jià)格不斷上漲、越來(lái)越多的人不愿將智能手機(jī)視為一兩年就要處理掉的東西。

同時(shí),也受整體大環(huán)境的影響。據(jù)韓媒《世界日?qǐng)?bào)》報(bào)道,手機(jī)銷(xiāo)量下滑的主要原因是因?yàn)閲?guó)際貿(mào)易環(huán)境不確定因素等影響,生產(chǎn)量減少率將達(dá)5%。

不僅手機(jī)需求疲軟,PC和服務(wù)器等銷(xiāo)量也有所下降。

存儲(chǔ)器利益縮水

手機(jī)市場(chǎng)的萎縮,導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片也受挫。存儲(chǔ)器應(yīng)用于所有個(gè)人消費(fèi)類(lèi)或工業(yè)設(shè)備,包括手機(jī)、筆記本、服務(wù)器等,三星、SK海力士和美光作為存儲(chǔ)器的全球性企業(yè),紛紛受到波及,利潤(rùn)都有所下降。

“成也存儲(chǔ),敗也存儲(chǔ)”是對(duì)存儲(chǔ)大廠(chǎng)三星的論調(diào),三星半導(dǎo)體的營(yíng)收貢獻(xiàn)了78%的利潤(rùn),其中存儲(chǔ)和面板占據(jù)了大部分,有關(guān)人士戲稱(chēng),賣(mài)手機(jī)也可能是賣(mài)芯片的工具。從2018年第四季度三星負(fù)責(zé)芯片制造的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)來(lái)看,首度低于10萬(wàn)億韓元,三星電子表示,盈利下降部分原因是存儲(chǔ)器需求疲軟,芯片需求疲軟是導(dǎo)致三星業(yè)績(jī)不盡人意的主要原因。

存儲(chǔ)器

海力士也表示2018年第四季度DRAM芯片的出貨量下跌2%,其銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比降低11%。在NAND閃存芯片領(lǐng)域,海力士當(dāng)季的出貨量上漲一成,但平均售價(jià)則縮水21%。

同樣,美光也深受其害,美觀(guān)發(fā)布的2019年Q1財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)顯示,已經(jīng)呈走跌趨勢(shì),營(yíng)收環(huán)比衰退6%。

另外,存儲(chǔ)市場(chǎng)產(chǎn)能過(guò)剩導(dǎo)致價(jià)格下跌。DRAM內(nèi)存價(jià)格的下降對(duì)三星、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)公司整體不利。據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從2018年下半年開(kāi)始,NAND閃存價(jià)格下滑了15%,預(yù)計(jì)2019年第一季度價(jià)格下滑幅度約為15%。另一方面,更有觀(guān)點(diǎn)認(rèn)為NAND閃存將出現(xiàn)價(jià)格腰斬的局面,如果2019年沒(méi)有強(qiáng)勁的需求支撐,價(jià)格將下跌50%。

三星、SK海力士、美光減產(chǎn)

據(jù)DRAMeXchange最新調(diào)查指出,PC、智能手機(jī)和伺服器等終端產(chǎn)品需求疲軟,為了改善存儲(chǔ)器供應(yīng)過(guò)剩的局面,適應(yīng)經(jīng)濟(jì)放緩的趨勢(shì),三星、美光、SK海力士等紛紛調(diào)整產(chǎn)出量、減緩?fù)顿Y計(jì)劃,下調(diào)資本支出等戰(zhàn)略,以緩價(jià)格跌勢(shì)。

三星則采用“非常經(jīng)營(yíng)模式”來(lái)挽救存儲(chǔ)價(jià)格,將減少DRAM內(nèi)存設(shè)備的采購(gòu),適應(yīng)DRAM內(nèi)存的供需情況,等待下一輪高增長(zhǎng)需求出現(xiàn),并且,三星在2019年轉(zhuǎn)投更有信心的5G、人工智能領(lǐng)域。

SK海力士今年投資DRAM的金額降至55億美元,主要用于新制程轉(zhuǎn)進(jìn)及良率提升。美光則下調(diào)今年投資DRAM至30億美元左右,并且為了應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)低迷的狀況,用15億美元收購(gòu)全資控股英特爾的IFFlash,研發(fā)3-DXPoint技術(shù)。

存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)企業(yè)陸續(xù)放出減產(chǎn)投資計(jì)劃,臺(tái)灣DRAM大廠(chǎng)南亞科總經(jīng)理李培瑛表示:“DRAM廠(chǎng)同步降低今年資本支出,主要是要減緩產(chǎn)能過(guò)剩壓力,并減緩價(jià)格下跌速度。但他也表示,在消費(fèi)電子領(lǐng)域,短期內(nèi)受中美貿(mào)易的不穩(wěn)定因素干擾,DRAM搭載容量仍維持成長(zhǎng),2019年DRAM市場(chǎng)總體需求仍會(huì)穩(wěn)定增加。”

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)加大自主研發(fā)進(jìn)程

在全球經(jīng)濟(jì)放緩的背景下,中國(guó)迎來(lái)絕佳的“逆戰(zhàn)期”,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)常務(wù)董事安基賢認(rèn)為:“在經(jīng)濟(jì)衰退時(shí)期能夠清楚一家企業(yè)真正的實(shí)力,由于美國(guó)的阻攔,中國(guó)芯片制造商不得不加大自主研發(fā)力度。”

存儲(chǔ)事業(yè)一直都是本土產(chǎn)業(yè)的“芯病”,一直被美日韓大廠(chǎng)所控制,為了實(shí)現(xiàn)自主可控的目的,紫光集團(tuán)在國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步。紫光集團(tuán)旗今年1月8日宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3DNAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。紫光表示,這標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3DNAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破。

存儲(chǔ)器

據(jù)媒體報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在八月的FlashMemorySummit上宣布64層的3DNAND將會(huì)在今年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。時(shí)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)高啟全強(qiáng)調(diào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與三星、SK海力士、東芝等國(guó)際大廠(chǎng)的技術(shù)差距縮短至一代左右,并考慮要自主開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù),切入點(diǎn)可能是18/20納米制程。

在技術(shù)方面,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)正在扮演一個(gè)追趕者的角色。西部數(shù)據(jù)在2017年時(shí)就已經(jīng)成功研發(fā)出96層芯片和QLC技術(shù),2018年五月,三星宣布已經(jīng)批量生產(chǎn)第五代V-NAND3D堆疊閃存。當(dāng)下國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)事業(yè)努力縮小與國(guó)際大廠(chǎng)的差距,盡管中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在NAND、DRAM等領(lǐng)域取得不錯(cuò)的進(jìn)步,但是依然存在著很大的不足,相信國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)會(huì)走出一條康莊大道。

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