2019年1月14日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，簡稱SEMI）解讀了歐盟的微電子發(fā)展戰(zhàn)略。
2018年12月，歐盟委員會基于歐洲共同利益重要計劃（ImportantProjectsofCommonEuropeanInterest，簡稱IPCEI）批準了由英、法、德、意四國29家公司與科研機構(gòu)共同承擔(dān)的“歐洲微電子聯(lián)合項目”。
項目計劃于2024年完成，除參與國家的政府撥款17.5億歐元外，還將配套60億歐元私人投資，研發(fā)重點聚焦于五大方向：（1）低功耗芯片；（2）功率半導(dǎo)體；（3）傳感器；（4）先進光學(xué)設(shè)備；（5）化合物材料。
涉及機構(gòu)不僅包括傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體垂直整合廠商（IDM）——英飛凌、意法半導(dǎo)體，模擬/混合信號集成電路IDM——X-FAB，還包括科研機構(gòu)——法國原子能委員會與電子信息技術(shù)實驗室（CEA-Leti），晶圓代工企業(yè)——格羅方德的德累斯頓工廠，以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的配套企業(yè)——光學(xué)巨頭卡爾·蔡司、光罩生產(chǎn)商AMTC和博世機器人。
結(jié)合項目研發(fā)重點與涉及機構(gòu)，可歸納出歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略：
（1）鞏固自身在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路上的優(yōu)勢；
（2）退出先進制程邏輯芯片和存儲芯片的競爭；
（3）在上游的材料與設(shè)備領(lǐng)域，重點推進第三代半導(dǎo)體材料、光罩和光學(xué)設(shè)備；
（4）將下游應(yīng)用集中于物聯(lián)網(wǎng)和汽車電子。
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