8月12日消息，據(jù)介紹，電力電子產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷一場動態(tài)轉(zhuǎn)變。這種轉(zhuǎn)變源自對未來幾年預(yù)測的需求增長，意味著向12英寸晶圓的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移。2018年，8英寸晶圓的需求已經(jīng)飽和，導(dǎo)致晶圓價格上漲。截至目前，已有超過七家電力電子產(chǎn)品供應(yīng)商宣布投資新的制造產(chǎn)能，陸續(xù)將于2021年起投產(chǎn)。

英飛凌（Infineon）已在菲拉赫（Villach）投資19億美元，為其12英寸晶圓上的功率器件建造第二座晶圓廠。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）也開始為其雙極CMOS-DMOS、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），擴大在意大利Agrate的工廠用于12英寸生產(chǎn)。博世（Bosch）也已在德累斯頓（Dresden）建造12英寸晶圓廠，為汽車和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的需求增長做好準(zhǔn)備。另外，中國廠商也已開始擴展至12英寸，如杭州士藍微電子（SilanMicroelectronics）和上海積塔半導(dǎo)體（GTASemi），后者已確認(rèn)正在建設(shè)中國國內(nèi)第一條汽車級IGBT生產(chǎn)線。

對于新晶圓廠建設(shè)的一個擔(dān)憂是設(shè)備交付時間。這是安森美半導(dǎo)體（ONSemiconductor）和達爾科技（DiodesInc）等公司收購現(xiàn)有晶圓廠的原因之一。收購需要的投入也較低。因此，安森美半導(dǎo)體采用先進CMOS技術(shù)的生產(chǎn)爬坡預(yù)計可在2020年開始。一旦該轉(zhuǎn)移在2022年完成，其設(shè)備便可以根據(jù)需求，用于可能的功率器件增長。由于設(shè)備已經(jīng)到位，屆時需要做出選擇。

我們需要密切關(guān)注電力電子廠商的下一步發(fā)展，因為它們將在未來幾年重塑功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。本報告概述了完整的電力電子供應(yīng)鏈，并重點關(guān)注了12英寸產(chǎn)線的建設(shè)。

電力電子晶圓廠發(fā)展時間線，主要廠商12英寸/8英寸產(chǎn)線投資情況

電氣化仍然是電力電子產(chǎn)業(yè)的主要驅(qū)動力

2018年電力電子市場包括534億美元的功率逆變器和175億美元的功率半導(dǎo)體器件。市場關(guān)鍵驅(qū)動因素包括由交通電氣化、二氧化碳減排、清潔電源的發(fā)展和工業(yè)化驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換優(yōu)化和擴展。可以說，具有巨大市場潛力和技術(shù)創(chuàng)新的主要驅(qū)動應(yīng)用，是純電動和混合動力電動汽車（EV/HEV）。但是，也不能忽略，還有其它由電氣化和EV/HEV推動的應(yīng)用。

受到清潔駕駛趨勢和不斷增長的電力消耗推動，可再生能源便是其一。此外，還需要部署更多的電網(wǎng)，以支持更高的電能需求。類似地，還需要部署更多的能量存儲系統(tǒng)，以更好地分配電網(wǎng)能量。電網(wǎng)還必須部署到城市以外新安裝的電動汽車充電站，使更多汽車可以同時插入充電，并提供可接受的充電時間。

此外，考慮到未來的自動駕駛和長遠的車聯(lián)網(wǎng)（V2X）通信，還需要更多的數(shù)據(jù)中心，更多的激光雷達（LiDAR）系統(tǒng)，以及其他支持技術(shù)。因此，我們正處于一個電氣化以及EV/HEV推動已有應(yīng)用快速增長的新時代，非常有必要跟蹤電力電子市場的發(fā)展動向。

這些應(yīng)用將如何發(fā)展？哪些是主要驅(qū)動因素？如何轉(zhuǎn)化為功率半導(dǎo)體以及硅襯底的市場機遇？這些答案都可以在本報告中找到。

電力電子產(chǎn)業(yè)，驅(qū)動應(yīng)用的前景

半導(dǎo)體市場向更高功率的發(fā)展，推動模塊市場增長

如今，主電源應(yīng)用的高功率效率和高密度要求推動著模塊市場，模塊占據(jù)了整體市場的23%。但現(xiàn)在也看到來自終端用戶新應(yīng)用的需求推動，這些新應(yīng)用包括能源存儲、充電基礎(chǔ)設(shè)施以及電動汽車等。這些應(yīng)用，以及可再生能源和馬達驅(qū)動等傳統(tǒng)應(yīng)用，將使用具有不同功率水平和可靠性要求的模塊。

這將在未來幾年內(nèi)提供大量的功率模塊選擇。業(yè)界正在開發(fā)具有新襯底、芯片附著材料或新半導(dǎo)體材料的功率模塊。各個領(lǐng)域的不同廠商都在關(guān)注模塊的創(chuàng)新，并推動量產(chǎn)以進入這個市場。另一方面，老牌廠商也正在通過創(chuàng)新和優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)來爭奪市場。

電力電子半導(dǎo)體市場正處于從2017年開始并持續(xù)到現(xiàn)在的增長期。某些細(xì)分領(lǐng)域現(xiàn)在已經(jīng)趨于飽和，特別是2019年的MOSFET市場，不過市場需求預(yù)計仍將持續(xù)高漲。Yole預(yù)計2018——2024年IGBT模塊市場的復(fù)合年增長率（CAGR）為4.5%，而分立IGBT元件的復(fù)合年增長率為2.7%。這些預(yù)測數(shù)據(jù)與上述廠商的產(chǎn)線投資直接相關(guān)。另外需要注意的是，未來幾年SiC的滲透將直接影響IGBT模塊市場，SiC預(yù)計將在電動汽車領(lǐng)域大展拳腳。這確實是一個值得關(guān)注的市場！

2018年和2024年按器件細(xì)分的電力電子產(chǎn)業(yè)市場份額

在本報告中，Yole總結(jié)了功率半導(dǎo)體領(lǐng)域從硅晶圓到分立器件、模塊和逆變器的不同市場。

2018年電力電子產(chǎn)業(yè)主要廠商及其功率器件的營收劃分