韓國媒體報導，一家韓國公司開發(fā)出一種新材料，有望顯著提高荷蘭半導體設備企業(yè)ASML的極紫外光微影曝光設備 (EUV) 的良率。
根據BusinessKorea的報導，半導體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 近期宣布，其已開發(fā)出使用石墨烯制造、小于5納米的EUV光罩護膜 (Pellicle) 技術，并已準備好進行量產。
Graphene Lab執(zhí)行長Kwon Yong-deok表示，“光罩護膜過去是由硅制成的，但我們使用了石墨烯，這對于使用ASML的EUV微影曝光設備設備的半導體企業(yè)來說，石墨烯光罩護膜將成為晶圓制造良率的推進助力?！?/p>
光罩護膜是一種薄膜，可保護光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于5納米或以下節(jié)點制程的先進制程技術的良率表現至關重要。另外，光罩護膜是一種需要定期更換的消耗品，而由于EUV微影曝光設備的光源波長較短，因此護膜需要較薄厚度來增加透光率。之前，硅已被用于制造光罩護膜，但石墨烯會是一種更好的材料，因為石墨烯制造的光罩護膜比硅更薄、更透明。
報導強調，EUV光罩護膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的800度或更高的高溫，所以其在高溫下的硬化特性，硅制產品非常容易破裂。Graphene Lab指出，一旦石墨烯EUV光罩護膜受到采用，估計全球護膜市場到2024年將達到1萬億韓元的情況下，將有其極大商機。屆時，包括臺積電、三星電子、英特爾等在內的半導體企業(yè)都有望成為Graphene Lab的潛在客戶。
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