百思特達(dá)氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目竣工,進(jìn)入試生產(chǎn)階段
時(shí)間:2023-01-11
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察
導(dǎo)語(yǔ):據(jù)悉,氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn),可為百思特達(dá)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
據(jù)盤(pán)錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)消息,目前,遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“百思特達(dá)”)的氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。
消息顯示,百思特達(dá)是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的綜合性高科技企業(yè),始終致力于開(kāi)創(chuàng)中國(guó)半導(dǎo)體氮化鎵芯片領(lǐng)域的科技新格局。該公司投資3億元建設(shè)的氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目,占地面積125畝,總建筑面積51302.28平方米,其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車(chē)間、1棟芯片封裝及應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車(chē)間、1棟成品庫(kù)房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設(shè)內(nèi)容。
2022年12月中旬,氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目全面竣工投產(chǎn),在完成廠務(wù)動(dòng)力設(shè)備包含電力設(shè)備系統(tǒng)、水設(shè)備系統(tǒng)、氣化設(shè)備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后,并同步對(duì)MOCVD、烤盤(pán)爐等一系列生產(chǎn)設(shè)備的一、二、三階調(diào)試完成后,開(kāi)始進(jìn)行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
據(jù)悉,氮化鎵半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目的建成達(dá)產(chǎn),可為百思特達(dá)增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)10萬(wàn)片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
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