據外媒消息,三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝,并開始大規(guī)模擴張。
報道中稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。
此前消息稱,美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備,無需其他許可。
據了解,目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產量的40%。
三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠
時間:2023-10-19
來源:全球半導體觀察
導語:報道中稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。
據外媒消息,三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝,并開始大規(guī)模擴張。
報道中稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。
此前消息稱,美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備,無需其他許可。
據了解,目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產量的40%。
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