臺(tái)積電先進(jìn)制程再提價(jià)!漲幅最高可達(dá)10%

時(shí)間:2024-10-28

來源:OFweek 電子工程網(wǎng)

導(dǎo)語(yǔ):據(jù)悉,臺(tái)積電已經(jīng)調(diào)整2025年向客戶提供的代工報(bào)價(jià),以減輕由海外工廠高運(yùn)營(yíng)成本和2nm部署成本造成的毛利率損失的影響。客戶還可以獲得代工廠對(duì)2nm工藝制造的報(bào)價(jià),該工藝制造計(jì)劃于2025年第四季度開始。

  臺(tái)積電的先進(jìn)制造和封裝技術(shù)正在不斷進(jìn)步,2nm制程的部署成本已開始影響代工廠的毛利率??紤]到通脹壓力和建設(shè)海外晶圓廠相關(guān)費(fèi)用的增加,臺(tái)積電已經(jīng)通知客戶,2025年的價(jià)格可能會(huì)上漲10%。調(diào)整主要針對(duì)晶圓代工廠先進(jìn)的5nm、4nm和3nm工藝制造。根據(jù)客戶關(guān)系、產(chǎn)品類型、訂單量和制造能力等因素,擬議的漲幅將超過早先預(yù)計(jì)的4%,最高可達(dá)10%。

  與之相反的是,7月份曾有市場(chǎng)消息指出,當(dāng)前臺(tái)積電6nm/7nm的產(chǎn)能利用率只有60%,2025年1月1日起將會(huì)降價(jià)10%。

  2nm超過3萬(wàn)美元

  值得注意的是,2nm的價(jià)格更是高于之前預(yù)期的2.5萬(wàn)美元,可能超過3萬(wàn)美元。相比之下,目前3nm晶圓的價(jià)格大概在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元,而4/5nm晶圓的價(jià)格在1.5到1.6萬(wàn)美元之間。

  有業(yè)內(nèi)人士表示,臺(tái)積電已陸續(xù)向客戶確認(rèn)2nm產(chǎn)品藍(lán)圖。由于無(wú)法轉(zhuǎn)單三星、英特爾,因此也只能照臺(tái)積電時(shí)程開始釋出訂單,此也是臺(tái)積電能充分掌握2nm產(chǎn)能規(guī)模關(guān)鍵所在。

  魏哲家前段時(shí)間表示,2nm制程需求表現(xiàn)是前所未見的龐大,目前規(guī)劃為2nm準(zhǔn)備的產(chǎn)能比3nm還多,預(yù)計(jì)2025年開始量產(chǎn),同時(shí)CoWoS先進(jìn)封裝的需求遠(yuǎn)超過供給,2024、2025年產(chǎn)能皆將翻倍。

  但業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步指出,臺(tái)積電持續(xù)調(diào)漲代工報(bào)價(jià),轉(zhuǎn)嫁給客戶難度不小,主要是PC、手機(jī)市況需求回升緩慢,2025年也不見得有V型復(fù)蘇,漲價(jià)恐適得其反又壓抑了買氣,能將漲價(jià)成本轉(zhuǎn)嫁給客戶,目前來看也只有英偉達(dá)等AI芯片業(yè)者才有實(shí)力議價(jià)。

  臺(tái)積電先進(jìn)制程的價(jià)格節(jié)節(jié)上漲,也意味著開發(fā)成本已經(jīng)越來越越高。有半導(dǎo)體廠商分析,先進(jìn)制程開發(fā)成本已見指數(shù)型成長(zhǎng)。

  IC設(shè)計(jì)高層透露,28nm開發(fā)費(fèi)用約0.5億美元,至16nm則需要投入1億美元,推進(jìn)5nm時(shí)費(fèi)用已高達(dá)5.5億美元,其中包括IP授權(quán)、軟件驗(yàn)證、設(shè)計(jì)架構(gòu)等環(huán)節(jié)。代工廠投入更是投入巨資,以3nm制程研發(fā)費(fèi)用來說,研調(diào)機(jī)構(gòu)認(rèn)為需投入40~50億美元,而建構(gòu)一座3nm工廠成本至少約花費(fèi)150億~200億美元。

  供應(yīng)鏈人士表示,先進(jìn)制程的投入更是漫長(zhǎng)且耗費(fèi)資源的過程,研發(fā)人力、設(shè)備、軟件、材料各環(huán)節(jié)缺一不可,且往往需要7~10年的時(shí)間,以2nm來說,路徑確認(rèn)于2016年即相當(dāng)明朗,但直到近期試產(chǎn)時(shí)程細(xì)節(jié)才逐漸明確。

  供應(yīng)鏈指出,先進(jìn)制程越往下走,光罩張數(shù)及復(fù)雜度都顯著升高,良率提升也就越發(fā)困難,對(duì)所有供應(yīng)鏈而言都是考驗(yàn),不過,一旦通過代工廠驗(yàn)證,非必要即不會(huì)輕易更換供應(yīng)商。

  摩根大通近日?qǐng)?bào)告指出,得益于緊密集成的封裝技術(shù)、領(lǐng)先的工藝技術(shù)以及半導(dǎo)體行業(yè)最廣泛的IP和設(shè)計(jì)服務(wù)生態(tài)系統(tǒng),臺(tái)積電在Al半導(dǎo)體領(lǐng)域的護(hù)城河似乎比以前的產(chǎn)品周期更寬。

  深度受益于AI

  臺(tái)積電作為AI半導(dǎo)體的關(guān)鍵推動(dòng)者,在數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算的AI處理能力正在增強(qiáng)。

  分領(lǐng)域來看,隨著數(shù)據(jù)中心和邊緣計(jì)算對(duì)AI處理需求的增長(zhǎng),臺(tái)積電作為AI處理器的主要制造商,將在未來3-4年內(nèi)實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng),預(yù)計(jì)將在AI半導(dǎo)體領(lǐng)域保持90%以上的市場(chǎng)份額。

  隨著從通用計(jì)算向加速計(jì)算的轉(zhuǎn)變,以及AI訓(xùn)練需求的持續(xù)增長(zhǎng)和AI推理用例的擴(kuò)大,數(shù)據(jù)中心AI將成為未來幾年半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。臺(tái)積電在數(shù)據(jù)中心AI加速器的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從2023年的約6%增長(zhǎng)到2027年的19%。

  隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施的完善和AI用例的普及,邊緣AI也將開始增長(zhǎng),預(yù)計(jì)邊緣AI對(duì)臺(tái)積電收入貢獻(xiàn)將從2023年的幾乎為零增長(zhǎng)到2027年的6%。

  此外,報(bào)告還指出,臺(tái)積電N3工藝將在2024年和2025年帶來強(qiáng)勁的訂單增長(zhǎng)。隨著AI加速器向N3遷移,N3工藝節(jié)點(diǎn)的收入規(guī)模將比N5峰值高出48%。到2025年,臺(tái)積電的N3產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到約1.5萬(wàn)wfp(片晶圓片/月),推動(dòng)2026年收入達(dá)到317億美元。

  摩根大通分析師們將其2025財(cái)年的預(yù)期略微上調(diào),預(yù)計(jì)預(yù)計(jì)從2025年開始,毛利率將開始擴(kuò)張,到2026年將達(dá)到55-60%的水平,推動(dòng)2026年每股收益(EPS)達(dá)到55-60元新臺(tái)幣。

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