臺積電新CoWoS封裝技術將打造手掌大小高端芯片

時間：2024-11-29

來源：電子技術應用

導語：11月28日消息，據(jù)報道，臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。

　　11月28日消息，據(jù)報道，臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。

　　此項革新性技術核心亮點在于，它能夠支持多達9個光罩尺寸(Reticle Size)的中介層集成，并配備12個高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專為滿足最嚴苛的性能需求而生。

　　然而，超大版CoWoS封裝技術的實現(xiàn)之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個光罩尺寸的配置，也需仰賴超過100 x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限(102 x 165mm)。而若追求9個光罩尺寸的極致，基板尺寸更是要突破120 x 120毫米大關，這無疑是對現(xiàn)有技術框架的一大挑戰(zhàn)。

　　此等規(guī)模的基板尺寸變革，不僅深刻影響著系統(tǒng)設計的整體布局，也對數(shù)據(jù)中心的配套支持系統(tǒng)提出了更高要求，尤其是在電源管理和散熱效率方面，需要更為精細的考量與優(yōu)化。

　　臺積電希望采用其先進封裝方法的公司也能利用其系統(tǒng)集成芯片(SoIC)先進封裝技術垂直堆疊其邏輯芯片，以進一步提高晶體管數(shù)量和性能。借助9個光罩尺寸的CoWoS封裝技術，臺積電預計客戶會將1.6nm芯片放置在2nm芯片之上。


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