在8月19日SEMI Silicon Valley Lunch Forum上，三位頂級產(chǎn)業(yè)分析師均認(rèn)為，越來越多的跡象顯示全球半導(dǎo)體市場已經(jīng)開始觸底反彈。Bill McClean（IC Insights）、Dean Freeman（Gartner）和John Housley（Techcet）三位分析師談到了近期半導(dǎo)體生產(chǎn)上行的跡象，并預(yù)測2010年設(shè)備訂單增長率將超過30%。 全球IC產(chǎn)業(yè)將獲得巨大增長動力 “此次產(chǎn)業(yè)周期已經(jīng)在09年第一季度觸底，下半年資本支出預(yù)計(jì)將較上半年增長33%。無需往回看，現(xiàn)在正是準(zhǔn)備迎接上行周期的時刻?！盉ill McClean說道。他建議產(chǎn)業(yè)要用“季度思維”來看待市場，他指出每次全球市場衰退都會導(dǎo)致需求被壓抑，“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來增長的兩年”。 對于明年，他預(yù)計(jì)至少能有15%的增長，有可能達(dá)到20%。“正如低迷時期一樣，市場完全可能反轉(zhuǎn)，上行勢頭可以和低迷時期的下行勢頭一樣猛烈?！盡cClean總結(jié)道。 2009年上下半年的狀況 McClean認(rèn)為2009年上半年是全球衰退最糟糕的時期。但是對于下半年，他認(rèn)為電子系統(tǒng)銷售將獲得季節(jié)性動力，IC庫存調(diào)整也已完成，全球GDP也將轉(zhuǎn)好。全球GDP和美國GDP都將從負(fù)增長轉(zhuǎn)為正增長（全球從-3.6%到+2.0%；美國從-3.7%到+1.3%）。在各個領(lǐng)域中（手機(jī)出貨量、PC出貨量、IC市場、IC代工市場、半導(dǎo)體資本支出），下半年已經(jīng)顯示出強(qiáng)勁的增長勢頭。 McClean指出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20強(qiáng)的銷售額已經(jīng)增長21%（第二季度較第一季度）。他一再提醒在場的聽眾不要從年度來看產(chǎn)業(yè)的變化，而是要從季度來看。 “我們遭遇了需求塌陷，和2001年不同，當(dāng)時是出貨量大于真實(shí)需求，而這次真實(shí)需求下滑。今年第一季度是谷底，我們已到達(dá)了谷底。產(chǎn)業(yè)一路所經(jīng)歷的是令人難以置信的，兩個季度環(huán)比下滑記錄被刷新。” 認(rèn)清潛在需求 對于2009年最為悲觀的出貨預(yù)測（PC：-12%，手機(jī)：-12%，電視機(jī)：-2%），McClean指出2009年出貨量為何回到2006-2007年的水平，而不是2005年的水平。對于IC出貨的季度趨勢，2009年第一季度回到了2005年的水平，但第二季度回升到2007年較低的水平。 他還指出TSMC的銷售額在一個季度內(nèi)翻了一倍，到第三季度，TSMC的銷售額將回到2008年第三季度的水平。 McClean稱代工廠和IDM所創(chuàng)下的資本支出歷史新低將使2010年和2011年的設(shè)備訂單強(qiáng)勁反彈?！百Y本支出下降至銷售額的12%，這是以前從未發(fā)生過的難以置信的低水平。以前也有過低迷時期資本支出發(fā)生兩位數(shù)百分比下滑。但一年后資本支出增長23%（1987）、14%（1997）、14%（2003），IC Insights預(yù)測2010和2011年分別增長18%和36%。 談到存儲芯片支出趨勢，McClean稱情況“絕對令人震驚”。存儲芯片資本支出2007年為323億美元，2008年為208億美元，2009年預(yù)計(jì)僅為72億美元。IC產(chǎn)能利用率在一個季度內(nèi)躍升20個百分點(diǎn)（從今年第一季度的57%到第二季度的78%），年內(nèi)還將繼續(xù)增長（預(yù)計(jì)第三季度為86%，第四季度為90%）。 最后McClean總結(jié)道：“我們正在關(guān)閉的產(chǎn)能量創(chuàng)記錄得多。不僅是因?yàn)槲覀儧]有投資新產(chǎn)能，還因?yàn)榕f工廠正在關(guān)閉。許多200mm晶圓廠正在離線。我相信SEMI所統(tǒng)計(jì)的數(shù)字，這樣的工廠有30家。許多產(chǎn)能下線，但沒有多少新產(chǎn)能上線。隨著旺盛的需求進(jìn)一步發(fā)展，所有的東西都將電子化——醫(yī)療、通信、計(jì)算機(jī)。我們將需要越來越多的IC?！比欢S非常保守，因此“有些東西不得不讓步，如定價”。他稱IC供應(yīng)、IC價格和IC需求形成了一種兩路循環(huán)的狀態(tài)，將導(dǎo)致“碰撞”。 半導(dǎo)體設(shè)備制造商的機(jī)會來臨 Gartner的Dean Freeman將金融危機(jī)所帶來的影響描述為“空前的下滑加坎坷的復(fù)蘇”。從半導(dǎo)體收入增長來看，2009年將下滑18%（第二季度的預(yù)測是下滑22.4%）。他預(yù)計(jì)2008年至2013年的收入增長率為+0.4%。 今年第二季度，經(jīng)濟(jì)危機(jī)沉重打擊了半導(dǎo)體資本支出。Freeman稱2008年所有資本設(shè)備的收入增長為-31.7%（降至307億美元），2009年為-45.8%（降至166億美元）。2009年將比預(yù)期的要差一些，但2010年應(yīng)該比預(yù)期的要好，他認(rèn)為主要是由于時間的原因而不是需求的轉(zhuǎn)變。2010年，他預(yù)計(jì)半導(dǎo)體設(shè)備收入為214億美元，較2009年增長29%。 對于晶圓廠設(shè)備，F(xiàn)reeman預(yù)計(jì)“由于我們正擺脫低迷，所以應(yīng)該在第三季度看到強(qiáng)勁增長。預(yù)計(jì)第三季度和第四季度的增長率分別為40%-50%和18%-20%?！? 對于代工廠產(chǎn)能利用率，F(xiàn)reeman指出了以下供需趨勢： 產(chǎn)能利用率將進(jìn)一步升高，從第二季度的68%到第三季度的78%； 需求主要來自PC和基帶應(yīng)用的拉動，尖端技術(shù)是最為強(qiáng)勁的動力； 今年下半年45/40nm技術(shù)將迅速崛起； 產(chǎn)能2009年和2010年均將增長7-8%，主要來自尖端技術(shù)； 晶圓出貨量將在2009年猛降14%，而2010年將增長26%； 年度利用率——2009年：63%，2010年：74%。 下圖為Freeman對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的預(yù)測。 Freeman稱宏觀經(jīng)濟(jì)預(yù)測持續(xù)改善，“我們是朝前兩步，退后一步。我們看到了來自產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域的良好數(shù)據(jù)。”半導(dǎo)體市場在第二季度有強(qiáng)勢的回應(yīng)，但進(jìn)一步的回應(yīng)將有賴于“消費(fèi)者推動”。資本支出將仍然低迷，但存在一些亮點(diǎn)，如代工廠和邏輯芯片，他認(rèn)為美國的復(fù)蘇可能從第三季度開始。他看到了設(shè)備公司真正的增長機(jī)會，但警告稱這些機(jī)會要求靈活性和有創(chuàng)意的商業(yè)計(jì)劃。他表示太陽能、LED和通孔硅（TSV）技術(shù)將是三個增長熱點(diǎn)。 關(guān)鍵的材料供應(yīng)鏈策略 Techcet Group的John Housley將其發(fā)言的焦點(diǎn)集中于經(jīng)濟(jì)低迷對供應(yīng)鏈的影響，并給出了詳盡的材料市場預(yù)測。 對于光刻膠和附屬品，Housley指出有超過10家公司將分享15億美元的市場，因此光刻膠用戶仍是贏家。EUV仍然非常成問題——非常貴。但他建議聽眾關(guān)注全球預(yù)計(jì)的光刻膠市場規(guī)模。 盡管光刻膠受到了巨大打擊，年收入從2008年的14億美元跌至9.5億美元，但他稱“單位成本上升了”，因?yàn)?93nm光刻膠開始投入應(yīng)用，它的價格是普通光刻膠的4到5倍。 對于硅，Housley關(guān)注到全球晶圓面積出貨指數(shù)，并指出了三個月移動平均值的上行現(xiàn)象——增長60%。對于SiC，他預(yù)計(jì)全球市場將從2008年的2.11億美元降至2009年的1.49億美元，而2011年將增至2.12億美元。在CMP領(lǐng)域，他指出由于有20多家供應(yīng)商，因此漿液的價格壓力依然存在，但仍是一家獨(dú)大。銅互連市場主要由兩家供應(yīng)商支配。而對于高k和ALD，Housley預(yù)計(jì)將獲得增長，主要受尖端RAM電容和45nm以下MPU的帶動。ALD非常好但極其昂貴，等到ALD價格下降到可以投入實(shí)際應(yīng)用的時候，它就得離場了，下一代技術(shù)已經(jīng)到來。 不考慮太陽能市場，Housley預(yù)計(jì)今年前端工藝材料市場總額為144億美元，較2008年減少21%，各種材料的下滑幅度分別為：掩膜（21%）、氣體（19%）、光刻膠（10%）、CMP（10%）、其他間接產(chǎn)品（7%）、濕化學(xué)試劑（6%）、輔助品（6%）、石英（6%）、先進(jìn)介質(zhì)和SOG（5%）、靶（4%）/石墨（2%）、陶瓷（2%）、電鍍（1%）、SiC（1%）?；瘜W(xué)試劑和氣體受到的影響沒有其他材料那樣嚴(yán)重。 對于光伏市場來說，材料高度依賴于器件面積，和半導(dǎo)體器件類似。未來幾年中，薄膜的市場份額將受限在20%之內(nèi)。Housley認(rèn)為未來五年光伏市場的復(fù)合年均增長率為20%-25%。