歐司朗光電半導(dǎo)體在擴(kuò)大兩家芯片制造廠(chǎng)規(guī)模的同時(shí)，還將它們升級(jí)為 6 英寸晶圓制造基地，從而大幅提高產(chǎn)量。其中，馬來(lái)西亞檳城基地正在興建一座生產(chǎn)大樓，而德國(guó)雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠(chǎng)房。這兩個(gè)基地都將采用新的制造技術(shù)，引入 6 英寸晶圓來(lái)替代目前的 4 英寸晶圓。采取這些措施后，到 2012 年底，白光 LED 的芯片產(chǎn)量將有望翻番。
通過(guò)這一系列舉措，歐司朗光電半導(dǎo)體將因應(yīng)國(guó)際 LED 市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力，趁勢(shì)擴(kuò)充雷根斯堡和檳城兩個(gè)芯片制造基地的產(chǎn)能，進(jìn)一步夯實(shí)其在國(guó)際市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。檳城芯片制造廠(chǎng)開(kāi)業(yè)不到兩年，如今已迎來(lái)擴(kuò)建升級(jí)至 6 英寸晶圓制造基地的大好時(shí)機(jī)，總廠(chǎng)房面積到 2012 年將升至 25,000 平方米，新增 400 個(gè)工作崗位。在雷根斯堡基地，將重新規(guī)劃可用空間，最早于 2011 年夏開(kāi)始對(duì) InGaN（氮化銦鎵）生產(chǎn)進(jìn)行逐步升級(jí)。
歐司朗光電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Aldo Kamper 先生表示：“通過(guò)擴(kuò)充高性能 InGaN 芯片的產(chǎn)能，我們正一如既往地鞏固我們的市場(chǎng)地位。LED 市場(chǎng)在許多不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的增長(zhǎng)潛力，我們將繼續(xù)利用這一推動(dòng)力不斷成長(zhǎng)。歐司朗光電半導(dǎo)體是歐司朗 LED 技術(shù)增值鏈中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)?！?br /> 這次產(chǎn)能擴(kuò)充主要會(huì)影響采用薄膜和 UX:3 技術(shù)的 InGaN 芯片，而這是生產(chǎn)白光 LED 時(shí)所必需的。今后，這些芯片都將從一開(kāi)始就在 6 英寸晶圓上制造，而不再基于目前直徑為 4 英寸的晶圓。
芯片制造廠(chǎng)正在擴(kuò)建：歐司朗光電半導(dǎo)體的馬來(lái)西亞檳城基地正在興建新廠(chǎng)房。
更大的芯片表面推高產(chǎn)能：歐司朗光電半導(dǎo)體正在將其 InGaN 芯片生產(chǎn)基地升級(jí)為 6 英寸晶圓基地。
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